新型阶梯沟道4H-SiC MESFET设计与仿真.docVIP

西安电子科技大学 硕士学位论文 新型阶梯沟道4H--SiC MESFET设计与仿真 姓名：张连进 申请学位级别：硕士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：贾护军 201201  ／／姗一 应用领域???结构优于其他结构，目前，最先进的固态微波通讯系统和雷达 率、高温上的要求已超过??半导体器件的理论极限，而耐高温和高功率密度的 本文充分借鉴??β势骷?杓扑悸罚?岷??甋????已有的设计思想 和实践，采用基于电场集边效应和电场调制效应的设计手段，通过改变栅漏漂移 ???的新 ??对其进 行充分细致的仿真。仿真中主要优化了阶梯沟道结构的埋栅深度，隔离层厚度和 ???器件和传统栅极场板结构的异同点，从小信号交流特性出发，发现阶梯 沟道的跨导相对于传统栅场板结构要小，而对于同频率下，栅极场板结构和阶梯 沟道结构来讲，阶梯沟道的两个电容分别低于场板结构，场板的引入，增加了额 外的栅漏或者栅源反馈电容?刍和??，从而导致办和缸的降低。阶梯沟道相 ???器件的直流击穿电压，对于?琤 总的来说，只要有阶梯所带来的电场调制效应的存在，阶梯在栅漏区不同位置是 ???微波功率器件的耐压，从仿真结果可以看出，提高 程度在?％左右。 ???阶梯沟道电场调制效应电场集边效应  ? ??，?? ??? ?曲???琱?鷗????? ? ?? ?????? ?????． ??? ??? ???? ??? ???? ?????????，????????? ?????? ??? ??? ????????? ? ????? ???，? ? ? ?????琧? ?? ????? ????? ? ??譺???．???? ?????瑂??? ? ? ??? ?????産 ??? ? ?琤 ??? ?? ?????? ??，? ??? ???? ????? ?? ???．?? ?? ? ??? ????? ??????猄? ??? ???? ????? ????  绪论 ? 带半导体材料与器件获得了长足发展，使得电子技术可以应用到更加宽广的领域， 这类半导体被称为继硅和砷化镓为代表的第一、二代半导体之后的第三代半导体 由于相比于其他材料固有的一些优良特性，广泛应用于航天、航空、军事、石油 工业、核能和通讯等领域。 ??牧系目斫??是?和??的???使得其器件能在相当高的温 度下???以上?ぷ饕约熬哂蟹⑸淅豆獾哪芰Γ桓呋鞔┑绯?比?和??均 ?????????，????，这使它具有高的抗电磁波冲击???????? 显的优势。每一种多型体都有着各自独特的电特性和物理特性。?．????甋? 由于衬底质量较差，因此较适合于异质外延结构，且它的禁带宽度低于?和? 型????栽诖蠊β实奈⒉ㄉ淦盗煊蛑械挠τ迷恫患????蚐?的优点突 出。与?．??啾龋??甋?具有较宽的禁带、较高的电子迁移率、较低的各向 争力，用它做成的???的截止频率和最大输出功率要大于同样条件下的 ?．????甋????器件???縇”。 微波功率器件的三要素一高功率增益、高效率和高稳定性是器件应用的前提， 以往的硅功率器件由于受到材料本身的各项特性，如禁带宽度、迁移率、击穿电 场和热导率等的制约，要实现?ǘ瘟??ㄗ刺???以上的功率增益同时保持  ? 几乎为零。其性质不受正向电流和温度的影响。它有可能在高频、中等电压?～ ? 整流特性的??ぬ鼗?评荻?ü芤岳矗?岷鲜笛榻峁?屠砺鄯治龆許?肖特基 性服从热电子发射理论，而隧道效应是反向电流的主要输运机制。在高温下，反 向电流除以隧道效应为主外，热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生的电流都 随温度的升高而大大增加，逐渐变得不可忽略。正是隧道效应所导致的反向漏电 流使??ぬ鼗?评荻?ü艿淖瓒系缪故艿较拗疲?獯蟠笾圃剂薙?肖特基势垒 二极管在更高电压范围的应用。 ???。在电流密度??痗?的正向压降为?，比导通电阻为??甇．??，品质因 子为???／????疪伽??。 流作用，这是和一般二极管的根本区别，所以它很适合于做微波控制器件。  ? ??和 ???????技术设计并 们应用在高压高频的装换器中。基于?．? ??年?瓸????热吮ǖ懒??甋?横向???，击穿电压也达到了 ???等人研制了???结构????】，???技术是降 ? 结构中普遍使用的一种技术。这种技术是通过在器件衬底上外延一定浓度的异型 外延层，器件达到击穿电压前漂移区全部耗尽。利用这种技术可以在传统的低压 集成工艺上制造高达???陨系暮嵯蚋哐蛊骷??】。 应用领域???结构优于其他结构，目前，最先进的固态微波通讯系统和雷达 率、高温上的要求已超过??半导体器件的理论极限，而耐高温和高功率密度的 为了提高器件的工作频率，减少器件栅长和提高沟道掺杂浓， ?????