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目录 1：Si PN 2: Si PIN 3：GaAs PN 4： Al0.4GaAs PN 5： Al0.4GaAs PIN 6.总结 对吸收峰值的分析 λ=1.11um时，Si材料才能吸收光，但是在1.11um附近，由于光的能量hv不是很大，虽能激发电子的跃迁，不过也只是导带低电子才能跃迁，其他的很难。所以响应不是很强。 λ太小，光的能量太强，虽然很容易激发电子的跃迁，却也加剧了其他不利条件的影响，比如散射加强，这时候响应也不会太大。 峰值处，是各个条件均衡的一个协调点。偏离它，响应都会减小！ GaAs PN no active macro GaAs with active macro R@0v Al0.4GaAs pin without window layer R@0v GaAs /AlGaAs /AlGaAs pin with window layer R@0v * 对比着两张图，可以看到，当加上光后，PN结的I-V曲线往下移动了。 0.235 0.23 分析： 1.Si PN结在其他条件一样的情况下，在-1v和0v时候的最大响应率分别为0.235和0.23，对应的波长都为0.55um。从响应0.235和0.23之差0.005可以看出，当加上反向偏压后，响应率增加了！ 解释： 反向偏压使PN结耗尽层宽度变宽，光在耗尽层中得吸收就增加了，所以响应率有所增加。 2.从响应与波长关系图看出，Si能吸收的波长λ=1.1;吸收峰值在0.55um。 解释： λ=1.24/Eg,SI 才能吸收，Eg=1.12，算出来λ0=1.11，符合 1.由图分析得到结论： 由于加入了掺杂浓度很低的近似本征层，光电流增大了少许，响应率也相应增大了。 解释： 加入本征层以后，PIN结构为：P+ N- N+，N-为本征层，浓度很低，很容易耗尽，所以耗尽层很宽，光的吸收就很足够了。 GaAs不加active macro时，产生一些噪声电流，由于没有设置光学参数，光没有吸收，所以基本上响应为0 1e26 1e22 1e24 不同掺杂浓度下的响应率 1.GaAs加上active macro后，相应的光学参数也就有了，在掺杂为1e24m^-3时，响应率为3.4，明显比Si PN结的响应率高。 解释： GaAs是直接禁带半导体，光致电子跃迁比较容易，所以在掺杂浓度比较合理时，响应率比间接禁带半导体Si高。 2.不同掺杂浓度，GaAs PN的响应率不同，浓度低或者高乐，响应率都会下降。 解释：和1e24m^-3比较 浓度过高为1e26m^-3，耗尽层宽度出很窄，光的吸收不完全；另外浓度高乐，散射加强；自由载流子吸收等加强，故响应率降低，并且是很低。 浓度很低时，耗尽层宽度较宽，响应率相应就大。但是对比1e24和1e22发现。浓度低了，响应率也低一点。 R@0v Np=1e25 Np=1e23 W=2um W=3um W=1um 比较上页四张图，得出结论： 1.浓度太高影响响应率 2.本征层的宽度要大些，但是太大也不行 解释：材料对光的吸收，由吸收效率决定了其吸收深度W0，当本征层WW0时，吸收不完全，故响应率低；但是 WW0时，增加本征层厚度并不会增大响应率，反而会减小。 *
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