Ch7.4-6(导体的电容电容器静电场的能量)总结.pptVIP

Ch7.4-6(导体的电容电容器静电场的能量)总结.ppt

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* 复 习: 1. 介质的分类及极化机制: 有极分子和无极分子; 位移极化和取向极化。 2. 有关介质极化的几个公式: 3. 电位移矢量: 4. 高斯定理的形式: 实验证实:任意形状的孤立导体,都有:Q/U = 常量。 (1)定义: §7-4 导体的电容 电容器 一、孤立导体的电容 考虑如图孤立导体球(实心或空心):  (单位:法拉 F = C / V ) ( 常用:微法 ?F =10-6 F 皮法 pF = 10-12F) (2)性质:C 只与导体本身形状大小有关,是导体本身 的固有属性。而与其是否带电及带电 Q 多少无关。 孤立导体的电容: =常量(与本身结构尺寸有关) 升高单位电压所能容纳的电量称为该导体的电容。 二. 电容器及其电容 孤立导体的电容很小,并且容易受到其它带 电体的影响。为了提高电容量,应把两块彼此绝 缘而且靠得很近的导体板组成——电容器。 在实际应用中,为了消除其 它带电体的影响,常采用静电 屏蔽的方法。 C QC D QD A +QA 若带电体 A 和 B 分别带电 +Q、-Q,其电势差 为U 12 = U1 - U2。 由实验证实 Q∕U 12 为恒量, 故定 义为电容器的电容。 孤立导体实际也可认为是电 容器,只是另一极板在无穷 远处,且其电势为 0 。 三. 电容的计算 (设电容器空间为真空, ) ★步骤 —— 设 ±Q,求极板间场强 E, 求 U, 得 C=Q / U . (1)平板电容器 (Ld)(可视为二无穷大平行板) 设带电分别 为±Q, (2).球形电容器( 二同心球壳构成 ) 设内球(R1)带电 Q , 外球(R2)带电 -Q ,二壳间(R1 r R2)场强: ★★ 讨论: ? R1、R2 都很大, 且 d = R2-R1 很小,R1R2 ≈R12 则近似为平行板电容器: ? R2R1,R2 - R1 ≈R2 与 孤立导体球 的电容相同。 由高斯定理可得 (3). 柱形电容器 (二同轴柱面构成) 设内外半径为 R1 ,R2,长度为 L, 内柱带电+Q,外筒带电 - Q, L(R2- R1),可视为无限长, 由高斯定理求出场强: 四. 电容器的串、并联 (1) 并联: 。 (2) 串联: [ 例 1 ] 球形电容器,在外球壳的半径 R2 及两球壳之 间的电势差 U 维持恒定的条件下,内球壳半径 R1 为多 大时才能使内球壳表面附近的场强最小?并求出此时场 强的大小。 一个球壳上的带电量为: 电容器内表面处场强的大小 +++++ +++++ - - - - - - - - - - 真空 三、电介质对电容器电容的影响 介质的特点:电阻率大,电荷 不能自由运动 为极化后极化(束缚)电荷产生的场。 2. 电介质对电容器的作用 则有:C/C0 = ?r ?r — 相对电容率 ?0 ?r=? --- 电容率 (1837年) 法拉弟实验证实: 而 U 相等,故 真空中: ,一般: 当两电容器带相同电量 Q 时 C0=Q/U0, C=Q/U= C0 ?r ∴ U0= ?r U E0d= ?r Ed, E=E0 /?r 介质内的场强比真空中的减小到 1/?r 倍。 因而,可知电介质对电容器的作用为: (1) 增大电容; (2) 增大耐压本领。 一般公式: 充介质平行板电容器的电容: 记住结论!!! +++++ +++++ - - - - - - - - - - 真空 [例1] 已知:一平行板电容器,S、d。 在下列情况下,求 C。 (1) 插入厚度为 t 的金属板。 (2) 插入厚度为 t 的介电常数为 ?r 的介质板。 (3) 求介质板表面束缚电荷面密度。 解:(1) 相当于两电容器串联 可见,插入金属板后,电容增大;电容与金属板的位置有关吗? [例2] 两个无限大带电平面,接地与不接地的讨论。 S 面积为 S,带电量 Q 的一个金属 板,与另一不代电的金属平板平 行放置。求静电平衡时,板上电 荷分布及周围电场分布;若第二 板接地,情况又怎样? 设静电平衡后,金属板各面 所带电荷面密度如图所示 由已知条件: 由静电平衡条件和高斯定理, 做如图所示高斯面可得: 金属板内任一点 P 的场强为零,由叠加原理得: 以上四个方程联立可求出: S 设 P 由各板上的电荷面密度、 金属板内场强为零和高斯 定理可得各区间的场

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