模电第3章-2解析.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 线性电阻区, P沟道增强型MOSFET电流为： 联立求解，得 由于在电阻区需要满足 所以，应舍去第二组解，因此 3.2 FET工作状态分析及其偏置电路 接上例 (P75) * * 1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。 2.场效应管除了与晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。 3.场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅-源电压可正可负。因此，场效应管比晶体管使用灵活。 4.场效应管是由多子参与导电；三极管则多子和少子同时参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大。因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强，在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 —— 场效应管的适用场合？ * * 3.3 场效应管放大电路 若输入为正弦量，上式可改写为 通常rds较大，rds对Id 的影响可以忽略，则 3.3.1 场效应管的低频小信号模型 rds很大 rds 是输出特性曲线在静态工作点上斜率的倒数(相当于晶体管的rce ), 其数值通常比较大, 可近似认为开路！ 在输入回路中, 由于G-S极之间呈现很高的电阻, 基本不从信号源索取电流, 故可认为G-S间近似开路, 即 iGS= 0。 在输出回路中, * * 3.3.2 共源放大电路 例 3.3.1 共源放大电路如图示, 场效应管的 gm= 5mA/V,分析该电路的交流性能指标 Au、Ri 和 R0。 * * 负反馈, Au? 例3.3.2 试画出低频小信号等效电路, 并计算增益Au。 3.3.2 共源放大电路 * * 3.3.2 共漏放大电路 1. 放大倍数Au * * 2.输入电阻 Ri 3. 输出电阻 Ro 采用“加压求流法” R0 R0 ? 令独立源Ui为零, 负载开路, 并在输出端外加 U, 产生 I , 则 3.3.2 共漏放大电路 * * 试求电路的中频增益、 输入电阻和输出电阻。 解： 再，画出中频小信号等效电路 例：放大电路如图所示。 已知 共源组态 共基组态 【课堂讨论】——多级放大电路分析 首先，组态分析 * * 则电压增益为 由于 则源电压增益 根据等效电路有 小信号 等效电路 接上讨论 * * ? 结构 NPN型 PNP型 C极与E极不可交换使用 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 D极与S极一般可交换使用 温度特性 多子扩散、少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 噪声 较大 较小 控制 电流控制电流源 CCCS(?) 电压控制电流源 VCCS(gm) 温度特性 受温度影响较大 受温度影响小,有零温度系数点 线性特性 iB与uBE为指数关系(差) iD与uGE为平方关系(好) 输入电阻 几十到几千欧姆 (104?) 几兆欧姆以上 (109?) 放大能力 典型值 ? =50, rbe=1K? 典型值 gm=1~5mA/V(弱) 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 MOSFET与双极型晶体管的比较 * * 共源放大电路 共漏放大电路 共栅放大电路 电压放大倍数 较大 小于且接近1 较大 输出与输入电压 反相 同相 同相 输入电阻 高 高 小 输出电阻 负载决定 小 大 适用场合： 共源放大电路 多用于多级放大电路的中间级。 共漏放大电路 多级放大电路的输入级、缓冲级或输出级。 共栅放大电路 用于电流跟随器。 FET三种组态放大电路的比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG * * 使用FET的几点注意事项 保存 测量 焊接 JFET用万用表测试要小心谨慎。 电烙铁要有中线。 MOSFET一般不可测。 各电极焊接顺序为：S→D→G 断电焊接。 注意将几个管脚短路（用金属丝捆绑）。 * * 第3章 场效应晶体管及其放大电路 【作业】 3.1 3.3 3.4