模拟电路4-1解析.ppt

共发电路射极接电阻RE后： 由于RE的负反馈作用，使Ri增大、Ro增大，放大 器更接近理想的互导放大器。 由于RE的负反馈作用，不仅增益稳定性提高，而 且还便于集成化。 因为 ， 因此 当RE ??时 此时，Avt近似等于两电阻的比值，与三极管参数?无关。 存在问题： RC?? Av ? ? 但集成因难 交流工作时： 直流工作时： RC?? VCEQ ? ?易饱和失真 采用有源负载的共发放大器 解决方法：用恒流源（有源负载）取代电阻RC 。 恒流源特点：直流电阻小，交流电阻大。 RL vo vi VCC R1 R2 RE T1 T2 RL vo vi VCC T1 ICQ 其中 等效为 在求分立元件多级放大电路的电压放大倍数时有两种处理方法。 输入电阻法 开路电压法 一是将后一级的输入电阻作为前一级的负载考虑，即将第二级的输入电阻与第一级集电极负载电阻并联。 二是将后一级与前一级开路，计算前 一级的开路电压放大倍数和输出电阻，并 将其作为信号源内阻加以考虑，共同作用 到后一级的输入端。 图 两级放大电路计算例 现以图的两级放大电路为例加以说明，有关参数示于图中。三极管的参数为 ?1=?2=?=100，VBE1=VBE2=0.7 V。计算总电压放大倍数。分别用输入电阻法和开路电压法计算。 用输入电阻法求电压增益 （1）求静态工作点 （2）求电压放大倍数 先计算三极管的输入电阻 电压增益 用开路电压法求电压增益 第一级的开路电压增益 第二级的电压增益 第一级的输出电阻 总电压增益 一、静态分析 根据输入回路列方程 图 分压 - 自偏式共源放大电路 + ? VT + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 解联立方程求出 VGSQ 和 IDQ。 4.3.4 共源、共栅和共漏放大器的性能 场效应管电路性能特点、分析方法与三极管放大器相似。不同之处仅在于，FET管的ig=0。 共源放大器 列输出回路方程求 UDSQ VDSQ = VDD – IDQ(RD + RS) 二、动态分析 微变等效电路入右图所示。 由图可知 电压放大倍数 输入、输出电阻分别为 图 微变等效电路 — D + + — G S + — 共源放大器 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi gmvgs RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi rds g s Ri Ro 接R?S的共源放大器 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S gmvgx RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi rds g s Ri Ro R?S R?o 不变 经推导 则 增大 减小 共漏放大器 RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S g R?S RG vs + - RL + vo RS + - vi rds - gmvgs s 经推导 共栅放大器 vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - vs + - RL + - vo R?S RS RD gmvgs ii io + - vi g s Ri? i?i 因为 所以 而 FET三种组态电路性能比较 小 大 小 大 大 ?1 大 大 大 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S 共源 共栅 共漏 Ri Ro Av 4.3.5 集成MOS放大器 集成MOS放大器与分立MOS放大器电路结构相同，只是为了提高集成度，集成MOS放大器中的负载电阻采用了以不同方法实现的有源电阻。 集成MOS放大器类型： NMOS放大器 CMOS放大器 放大管NEMOS 负载管NEMOS 放大管NEMOS 负载管NDMOS E/EMOS放大器 E/DMOS放大器 放