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《半导体器件》 单元四 场效应晶体管 小结 讲授教师：马 颖 一、半导体表面和界面结构 真实表面分为外表面和内表面，其中内表面属于快态能级，外表面属于慢态能级。 利用热生长或化学汽相淀积人工生长方法在Si面上生长SiO2层，可厚达几千埃，形成硅-二氧化硅界面。 理想表面的特点：在中性悬挂键上有一个未成键的电子。悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。 Si-SiO2界面的结构的应用： 一、半导体表面和界面结构 二氧化硅层中，存在着严重影响器件性能的因素主要有哪些？ 二、表面势 二、表面势 三、MOS结构的电容-电压特性 三、MOS结构的电容-电压特性 四、MOS结构的阈值电压 一、MOSFET的结构和分类 简述双极型晶体管的工作原理 简述场效应晶体管的工作原理 一、MOSFET的结构和分类 一、MOSFET的结构和分类 一、MOSFET的结构和分类 二、MOSFET的特征曲线 二、MOSFET的特征曲线 二、MOSFET的特征曲线 二、MOSFET的特征曲线 三、MOSFET的频率特性 跨导gm表征在漏－源电压VDS不变的情况下，漏电流IDS随着栅电压VGS变化而变化的程度，标志了MOSFET的电压放大本领。单位：西门子（S）。 线性工作区：跨导与VDS成正比 饱和工作区：在不考虑沟道长度调制效应的情况下，跨导与VDS无关。 提高跨导的方法 三、MOSFET的频率特性 NMOSFET最高振荡频率 PMOSFET最高振荡频率 减小沟道长度可以有效提高最高振荡频率 四、MOSFET的开关特性 四、MOSFET的开关特性 四、MOSFET的开关特性 五、阈值电压VT的控制和调整 调整和控制阈值电压的方法 五、阈值电压VT的控制和调整 通过半导体表面处注入离子来调整和控制阈值电压的计算 * * * * 微电子技术专业 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第 7 章 半导体表面特性及MOS电容 7.1 半导体表面和界面结构 了解清洁表面和真实表面的特点 理解Si-SiO2界面的特点及影响因素 7.2 表面势 掌握MIS结构的表面积累、耗尽和反型时表面势与能带特点 7.3 MOS结构的电容-电压特性 掌握理想MOS的C公式 了解影响实际C-V特性曲线变化的因素 7.4 MOS结构的阈值电压 掌握理想与实际阈值电压的计算（含C、ΨS、Wm、QSC） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOS结构中的绝缘介质层、器件有源区之间场氧化隔离 选择掺杂的掩蔽膜、钝化保护膜等 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 可动离子（钠离子，减小该离子沾污的工艺为磷稳定化和氯中性化） 固定电荷（氧化层正电荷，固定电荷密度由最终氧化温度决定，减小的方法是在惰性气体中退火） 界面陷阱，又称界面态（中性悬挂键引起，界面态的能级分布？减小方法有氢气退火和金属后退火工艺） 电离陷阱（由辐射、高温高负偏置应力引起的附加氧化层电荷的增加，去除和减小的方法是热退火和加固） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 表面势的概念 空间电荷区表面到内部另一端，电场从最大逐渐减弱到零，其各点电势也要发生变化，这样表面相对体内就产生电势差，并伴随能带弯曲，常称空间电荷区两端的电势差为表面势ΨS。 MIS结构加正向电压时，金属侧积累正电荷，半导体表面一层便形成空间负电荷区。此时，表面势ΨS是正的，表面电场由外界指向半导体，表面的能带向下弯曲，此时，表面与体内达到了热平衡，具有共同的费米能级；空间电荷区中的负电荷恰好与金属中的正电荷相等。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides fo