模拟电子技术基础吴友宇答案(完整版)..docx

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。二．判断题 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ × ）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（ × ）5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（ √ ）6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（ × ）7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（× ）三．简答题1、PN结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN结的伏安特性可用式表示。式中，ID为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q，为温度的电压当量（其单位与V的单位一致），其中玻尔兹曼