半導體雷射導論.pptVIP

* 1.1 半導體雷射的發展與演進 雷射的概念源自於西元1958年由Schawlow和Townes所提出，而後由Maiman在西元1960年率先製作出紅寶石雷射。 以半導體來製作雷射的可行性構想在西元1961年被提出來；在西元1962年，同時有好幾個研究群發表以砷化鎵(GaAs)材料製作的半導體雷射。 西元1963年，Kroemer和Alferov分別提出使用雙異質接面結構。 1980年代，使用氣相磊晶和分子束磊晶等技術，可製作出具有量子井結構為主動層的半導體雷射，半導體雷射的發展邁向成熟期。 * 1.2 半導體雷射的基本操作原理 雷射基本上由四大部分組成，如圖1-1所示。 * 1.2.3 復合與放光機制 復合的過程主要有兩種，可分為不會放出光子的非輻射復合(non-radiative recombination)以及會放出光子的輻射復合(radiative recombination)，只有輻射復合能產生光子，若能有效地降低非輻射復合的機率將可提升雷射操作的效率。 輻射復合中，又可分為自發放射(spontaneous emission)與受激放射(stimulated emission)，如圖1-5所示。 * 1.2.4 自發放射與受激放射的分界：雷射閾值 (laser threshold) 一旦電子與電洞注入至主動層中，雖可產生自發放射與受激