换一种方法做光泵磁共振——测量gF因子的新方法.pptVIP

换一种方法做光泵磁共振——测量gF因子的新方法.ppt

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换一种方法做光泵磁共振——测量gF因子的新方法

52P1/2 52S1/2 F=2 F=1 F=2 F=1 +2 +1 +1 0 ?1 ?2 ?1 0 ?1 ?2 ?1 +2 +1 0 0 +1 87Rb的塞曼分裂能级图 精细结构 L-S耦合 超精细结构 J-I耦合 弱磁场下的 塞曼分裂 MF F=2 52P1/2 52S1/2 F=3 F=2 F=3 F=2 +3 +2 0 ?3 ?2 0 ?3 ?2 +3 0 0 +2 精细结构 L-S耦合 超精细结构 J-I耦合 弱磁场下的 塞曼分裂 85Rb的塞曼分裂能级图 MF 52P1/2 52S1/2 F=2 F=1 F=2 F=1 +2 +1 +1 0 ?1 ?2 ?1 0 ?1 ?2 ?1 +2 +1 0 0 +1 87Rb的光抽运 ΔMF = +1 ΔMF =0,±1 塞曼分裂各相邻能级之间的能量差为:ΔE = gF μB B 光跃迁选择定则:ΔMF = +1 教材中是这样做的: 测量时保持扫场的幅度和方向不变,改变水平场的方向但保持大小不变,调节射频场频率ν : B+ = B0 + (B扫+B地) B? = ?B0 + (B扫+B地) 代入:hν = gFμBB hν1 = gFμB [B0 + (B扫+B地)] ?hν2 = gFμB [?B0 + (B扫+B地)] 两式相减得: gF = (h/ μBB0 )*(ν1+ν2)/2 改变水平场的电流: 0.25A,0.35A,0.45A 水平场电流/A 0.25 0.35 0.45 水平场同向ν /MHz 水平场反向ν /MHz 85Rb的gF值 平均值 与标准值1/3的相对误差η 85Rb的gF值 87Rb的gF值 水平场电流/A 0.25 0.35 0.45 水平场同向ν /MHz 水平场反向ν /MHz 87Rb的gF值 平均值 与标准值1/2的相对误差η 0.859 0.232 0.3305 1.081 0.450 0.3316 1.305 0.672 0.3317 0.3313 0.620% 1.298 0.362 0.5028 1.633 0.685 0.5021 1.967 1.015 0.5000 0.5016 0.327% 但是 问题是在0.45A时,这时射频需要很大1.967MHz,由于仪器本身的问题,水平磁场电流会随着频率的变化而变化,是不稳定的。 于是 想换一种方法来测量87Rb和85Rb的gF因子 B0 = I * 10-3 注意到式中B0和I是成正比关系的,那么射频场的频率ν就可以直接表示为电流的函数: hν = gFμB( I * 10-3 + B扫+B地) 其中ν与I成线性关系。可直接拟合直线得到斜率k,这时: gF = k*h/ (μB * 103) 其中:h = 6.63* 10-34 J·S μB = 0.9274* 10-23 J/T 磁场线圈电流 / A 85Rb射频场频率ν /MHz 87Rb射频场频率ν /MHz 0.25 0.26 0.27 0.28 0.29 0.30 0.31 0.32 0.33 0.34 0.35 0.36 0.37 0.38 0.39 0.40 0.0406 0.0565 0.0802 0.0993 0.121 0.143 0.166 0.185 0.209 0.232 0.259 0.275 0.295 0.319 0.340 0.364 0.747 0.769 0.803 0.826 0.863 0.898 0.931 0.966 0.999 1.032 1.066 1.096 1.131 1.162 1.199 1.229 85Rb的gF = 0.329362858 与标准值1/3的相对误差:η = 1.19% 87Rb的gF = 0.4972907805 与标准值1/2的相对误差:η = 0.541% 第二种: 继续保持扫场的幅度和方向不变,改变水平场的方向,但这次是保持射频场频率ν不变,而调节水平场直流线圈电流I(即改变磁场大小): hν = gFμB [B1 + (B扫+B地)] hν = gFμB [B2

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