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[eeprom28C256应用笔记
28C256应用笔记
器件操作
读:
和为低电平,为高电平,相应地址单元的数据输出到引脚。或为高电平时,输出引脚呈高阻态。
字节写入:
或保持低电平,或的低电平脉冲启动编程周期。地址由或的下降沿锁存;数据由下降沿之后的第一个上升沿锁存。编程操作由器件内部时序完成,这个编程时间为twc 。(见页面写入模式图表)
页面写入:
器件允许一个编程周期写入1~64字节的数据。页写入操作和字节写入一样,写入第一字节后,紧跟写入另外1~63个字节。写入每两个字节的时间间隔必须小于150μS。如果超过150μS,器件将会中止接收数据,开始内部编程周期。
所有写入的数据必须在同一页面内,即由页地址A6~A14决定,由高到低跳变时候,必须保持A6~A14不变。A0~A5用于指定页内的地址。
POLLING:
编程周期开始后,可以尝试去读最后写入的数据。如果编程周期进行中,I/O7如下图所示。编程完成后,读取到数据本身,此时可以写入新数据。
TOGGLE BIT:
除了 POLLING之外,器件还提供另外一个编程结束的指示。在编程周期中,连续的读操作,I/O6脚会在1和0之间变化。编程完成后,输出正确的值。
数据保护:
如果没有进行数据保护,数据可能在系统上电、下电或受干扰的时候被无意的修改。
硬件保护:
VCC小于3.8V时,写操作被禁止。
VCC大于3.8V后,由内部时序产生5mS延时,延时完成后才能进行写操作。
=0
=1
=1 任一情况出现,禁止写操作。
4. 或的脉冲宽度小于15nS器件将不理睬。
软件保护:
在器件付运的时候软件写保护功能是关闭的,它必须通过写入3个特殊字节到3个特殊地址开启。在写入这3个保护字节和经过twc后整个器件将会被保护起来。需要注意的是,在写入保护字节以后,仍然可以写入一个字节或一个数据页。一次设定后,软件数据保护是一直有效的,它能保护器件在上电、下电时候数据不被修改。该保护字节不会被写入通用的存储空间中。写保护开始时候,器件对于任何写操作而没有检测到3字节的指令,数据不会被编程到存储器中。写保护仍然需要twc的等待,也同样可以用读的办法检测是否完成。
要点:
可能某些存储单元会损坏,所以在程序中必须做冗余和标记损坏的点!
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