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LED蓝宝石衬底 1:蓝宝石详细介绍 蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane.由于蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都具有很好的透光性.因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上，它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高（2045℃）等特点，它是一种相当难加工的材料，因此常被用来作为光电元件的材料。目前超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶Al2O3 )C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合GaN 磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料. 下图则分别为蓝宝石的切面图;晶体结构图上视图;晶体结构侧视图; Al2O3分之结构图;蓝宝石结晶面示意图 蓝宝石切面图 晶体结构图上视图 晶体结构侧视图 Al2O3分之结构图 蓝宝石结晶面示意图 最常用来做GaN磊晶的是C面(0001)这个不具极性的面,所以GaN的极性将由制程决定 (a)图从C轴俯看 (b)图从C轴侧看 蓝宝石(Al2O3)特性表 分子式 Al2O3 密度 3.98克/立方厘米 晶体结构 六方晶格 晶格常数 a=4.785? , c=12.991? 莫氏硬度 9 (仅次于钻石:10) 熔点 2045℃ 沸点 3000℃ 热膨胀系数 5.8×10 -6 /K? 比热 0.418W.s/g/k? 热导率 25.12W/m/k (@ 100℃)? 折射率 no =1.768 ne =1.760? dn/dt 13x10 -6 /K(@633nm) 透光特性 T≈80% (0.3～5μm)? 介电常数 11.5(∥c), 9.3(⊥c)? 2 蓝宝石晶体的生长方法 蓝宝石晶体的生长方法常用的有三种: 1:提拉法(Czochralski method),简称CZ法.先将原料加热至熔点后熔化形成熔体，再利用一单晶籽晶接触到熔体表面，在籽晶与熔体的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔体开始在籽晶表面凝固并生长和籽晶相同晶体结构的单晶。籽晶同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以一定的转速旋转，随着籽晶的向上拉升，熔体逐渐凝固于籽晶的液固界面上，进而形成一轴对称的单晶晶锭. 晶体生长示意图如下: 提拉法(Czochralski method)之原理示意图 2:泡生法（Kyropoulos method）,简称KY法， 其原理与提拉法(Czochralskimethod)类似，先将原料加热至熔点后熔化形成熔体，再以单晶之籽晶(SeedCrystal，又称籽晶棒)接触到熔体表面，在籽晶与熔体的固液界面上开始生长和籽晶相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔体与籽晶界面的凝固速率稳定后，籽晶便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最后凝固成一整个单晶晶锭. 晶体生长示意图如下： 凯氏長晶法(Kyropoulos method)之原理示意图 3:热交换法（Heat Exchanger Method）,简称HEM法,在热交换法生长蓝宝石晶体的过程中，坩埚底部放置籽晶的地方是低温区，当坩埚中的原料全部融化后，籽晶除接触熔体处略融外，其余部分保持不变。随着调节通入的氦气流量逐渐增大，低温区逐渐向上扩大，熔体自上部的高温区至下部的低温区行成了一个温度梯度分布，其梯度的大小与通入的氦气量有关。固液界面的位置产生了一个自下向上的推移过程，实现了晶体生长。因为温度的分布与重力场相反，因而熔体中没有对流作用发生，保证了晶体在稳定状态下生长，有利于获得高质量的蓝宝石晶体。 晶体生长示意图如下： 热交换法生长蓝宝石晶体原理示意 1.炉体，2.保温屏，3.上盖，4.坩埚，5.籽晶，6.热交换器，7.钨管，8.真空泵，9.氦气，10.热电偶，11.高温计 3 蓝宝石衬底加工流程