2016升级版降压恒流芯片分析.docVIP

典型应用电路图 订货信息 产品型号 AS10U16 丝印 封装及管脚分配 管脚描述 管脚号 管脚名 管脚类型 描述 1 GND 地 芯片地 2 EN 输入 芯片使能端，高电平有效 3 GNDP 输入 需接芯片地 4 5 6 7 8 SW 输出 内置MOS管漏极 9 10 11 12 13 14 CS 输入 输出电流检测反馈脚 15 TOFF 输入 关断时间设置脚 16 VDD 电源 芯片电源 内部电路方框图 图2：AS10U16内部电路方框图 极限参数（注1） 参数 符号 描述 最小值 最大值 单位 VSW_MAX SW脚最大电压 60 V 电压 VDD_MAX VDD最大电压 7 V VMIN_MAX GNDP、EN、CS和TOFF脚电压 -0.3 VDD+0.3 V 最大功耗 PSOP-16 SOP-16最大功耗 1.0 W 温度 TJ 结温范围 -20 125 PPPPoC TA 工作温度 -20 85 PPPPoC TSTG 存储温度 -40 125 PPPPoC TSD 焊接温度范围（时间少于30秒） 240 PPPPoC ESD VESD 静电耐压值（人体模型） 2000 V 注1：超过上表中规定的极限参数会导致器件永久性损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器件的可靠性。 推荐工作条件（注2） 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VIN 50 V 芯片电源电压 VDD 5.1 6.8 7 V 系统工作频率 FOP 1000 KHz 调光频率 FPWM 250 1000 Hz 注2：推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。 电气特性 除非特别说明，VDD=5V，TA=25oC 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源电压 最大输入电压 VDD_MAX 6.8 7 V 欠压保护电压 VDD_UVLO VDD上升 2.5 V 电源电流 工作电流 IOP FOP =200KHz 1.3 mA 待机输入电流 IINQ 无负载, EN为低电平 160 uA 电流采样 电流检测阈值 VCS_TH 240 250 260 mV 芯片关断延迟 TD 61 ns 开关频率 最大工作频率 FMAX 1000 KHz 关断时间 最小关断时间 TOFF_MIN TOFF脚无外接电容 620 ns 内置功率MOS管 最大漏源电压 VDS_MAX 60 V 导通内阻 RDS(ON) VGS=4.5V , ID=30A 48 mΩ MOS管导通阈值 VTH 1 2.5 V EN使能端输入 EN 端输入高电平 0.4*VOUT V EN 端输入低电平 0.2 V 典型参数曲线 除非特别说明，VIN =5V， TA =25 oC  MOS管特性  应用指南工作原理 AS10U16采用峰值电流检测和固定关断时间的控制方式。电路工作在开关管导通和关断两种状态。 参见图1所示的典型应用电路图，当MOS开关管处于导通状态时，输入电压VIN通过LED灯、电感L1、MOS开关管、电流检测电阻RCS对电感充电，流过电感的电流随充电时间逐渐增大，当电流检测电阻RCS上的电压降达到电流检测阈值电压VCS_TH时，控制电路使得DRV输出端变为低电平并关断MOS开关管。 当MOS开关管处于关断状态时，电感通过由LED灯、续流二极管DFW以及电感自身组成的环路对电感储能放电。MOS开关管在关断一个固定的时间TOFF后，重新回到导通状态，并重复以上导通与关断过程。 TOFF设置 固定关断时间可由连接到TOFF引脚端的电容COFF 设定： 其中TD=61ns。 如果不外接COFF，AS10U16内部将关断时间设定为620ns。 最小导通时间TON_MIN 芯片的导通时间TON由下式决定 必须保证TON大于250nS(通过设置TOFF电容实现)。否则会损坏芯片。 输出电流设置 LED输出电流由电流采样RCS以及TOFF等参数设定： 其中VLED是LED的正向导通压降，L1是电感值。 电感取值 为保证系统的输出恒流特性，电感电流应工作在连续模式，要求的最小电感取值为： 系统工作频率 系统工作频率FS由下式确定： VDD旁路电容 需注意的是，芯片VDD引脚需并联一个2.2uF以上的旁路电容，以保证电路稳定工作。 芯片布局考虑 电流检测电阻RCS到芯片CS引脚以及GND引脚的连线需尽量