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山 东 理 工 大 学 教 案 第 6 次课 教学课型：理论课□√ 实验课□ 习题课□ 实践课□ 技能课□ 其它□ 主要教学内容（注明：* 重点 # 难点 ）： 1．晶体管的开关特性； 2．基本逻辑门电路类型； *3．二极管与门电路； *4．二极管或门电路； # *5．晶体管非门电路； 6．二极管-三极管与非门。 教学目的要求： 清楚饱和深度含义、逻辑电平的高电平和低电平都是一个范围和正逻辑与负逻辑的概念，理解分离元件基本门电路的工作原理，掌握基本运算和复合运算规律及其逻辑功能表示，理解灌电流负载和拉电流负载的概念等。 教学方法和教学手段： 讲授 板书 讨论、思考题、作业： 3．2， 3．4 参考资料： 《数字电子技术简明教程》 余孟尝主编 高等教育出版社 2001 《数字集成电子技术教程》 李士雄 高等教育出版社 1993 《数字电子技术基础》 阎石 高等教育出版社 2000 《数字电子技术基础》 侯建军主编 高等教育出版社 2003 注：教师讲稿附后 第3章 门电路 教学重点： 1 半导体元器件的开关特性； 2 各种门电路工作原理及其特点； 3 MOS反向器及其主要参数； 4 TTL反向器及其主要参数。 5.PLD介绍 教学难点： 1各种集成门电路工作原理及其特点； 2 集成门电路的电气特性； 3 集成门电路的参数意义。 概述 门电路的概念 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫做逻辑门电路，简称门电路。 逻辑变量与两状态开关 逻辑变量是二值量，不是0就是1，电子开关是两状态开关，二极管、三极管、MOS管是基本开关元件。 高、低电平与正、负逻辑 P57 高、低电平均是一个范围，如---------赋值---------- 正、负逻辑 4.分离元件门电路和集成门电路 5.数字集成电路的集成度 小规模 SSI 10门/片 或 100个元器件/片 中规模 MSI 10∽99门/片 或 100∽999个元器件/片 大规模 LSI 100∽9999门/片 或 1000∽99999个元器件/片 超大规模 VSI 10000门/片 或 100000个元器件/片 甚大规模 USI 亿门/片 或 10亿个元器件/片 3-1 晶体管的开关特性 一、理想开关的开关特性 静态特性 断开时，无论UAK 变化范围多大，其等效电阻ROFF=∞，通过的电流IOFF=0； 闭合时，无论流过的电流I 变化范围多大，其等效电阻RON=0两端的电压 UAK=0； 动态特性 开关时间均为0，动作瞬间完成，即开通时间ton=0和关断时间toff=0。 二、二极管的开关特性 (以硅管为例) （一）静态特性 伏安特性曲线 门槛电压 0.5V 导通压降0.7V 1．导通条件及导通时的特点 当外加正向电压UD0.7V时，二极管导通，而且一旦导通之后，就可以近似的认为UD≈0.7V ，如同-------。 截止条件及截止时的特点 当外加正向电压UDUO=0.5V时，二极管截止，而且一旦截止之后，就可以近似的认为 ID≈0。 等效电路 动态特性 1．电容效应 结电容Cj（CB）和扩散电容CD 2．开关时间 一般开通时间ton比和关断时间toff短的多，所以可以忽略不计。而只考虑关断时间toff ，也叫反向恢复时间trr，平面型2CK系列一般小于5个纳秒。 三、晶体三极管的开关特性 静态特性 1．三极管的四种工作状态 2．开关应用举例 P60 几个概念：直流负载线； 临界饱和时的基极电流IBS； 三极管饱和时的集电极电流ICS和管压降UCES≤0.3V（硅管）； 饱和深度 q = 静态开关特性 （1）饱和导通条件及其特点 饱和导通条件： 两结均正偏或 iB≥IBS 饱和导通时的特点： （2）截止条件及截止时的特点 截 止 条 件： 小于死区电压 …….. 截止时的特点： iB≈0； iC≈0 动态特性 1．波形图 P58 延迟 2．开关时间 开通时间ton-------三极管由截止到导通所需时间。 关断时间toff--------三极管由导通到截止所需时间，与饱和深度关系很大。NPN 3DK系列开关管在几十个纳秒量级。 *四、M