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模电部分课后题 第四章 4-4 解：判断二极管是否导通的常用方法：假设二极管断开，分别计算该二极管阳极和阴极的电压，比较其大小，若阳极电位高于阴极电位，二极管导通，否则截止。若有2个或多个二极管的阴极接在一起， 则二极管阳极电位高的二极管先导通。若有多个二极管的阳极接在一起，则阴极电位低的二极管先导通。 (a) D导通，Uab=-12V (b) D1导通，D2截止，Uab=0V (c) D2导通，D1截止，Uab=-5V 4-5 解：稳压管并联后， 稳压值将由最低的稳压值决定（稳压管并联后，通常只有一个稳压管起作用，除非特殊情况，稳压管不并联使用）。假设稳压管接正向电压时的电压是0.7V。 (a) 稳压管同时稳压，UO=7V+13V=20V (b) 稳压管同时加正向电压，UO=0.7V+0.7V=1.4V (c) DZ1=0.7V，DZ2=13V，UO=0.7V+13V=13.7V (d) DZ1=7V，DZ2=0.7V，UO=7V+0.7V=7.7V (e) DZ1和DZ2同时截止，UO=3V (f) 稳压管并联，UO=7V 4-6 解：（1）UO=0.9U=90(V) （2）)(90LOOmARUI== （3）选择适当型号的二极管主要根据以下两个条件： 二极管参数中的IF应满足IFID(二极管实际的平均工作电流)； 参数中的UR应满足URUDR(二极管实际工作时的最大反向电压)。本题中 4-7 解：若u21和u22上+下-，D1、D3分别导通；否则若u21和u22上-下+，D2、D4分别导通。 UO1=0.9U21=18V，UO2=-0.9U22=-18V。 4-8 解：若D1导通，应有ui≥5V，当-10Vui5V时，D1、D2截止，uo=ui。若ui≤-10V时， D2导通，uo=-10V。波形如图所示。 4-12 解：判断晶体管的类型指判断晶体管是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型。其中硅管或锗管的判断原则在于发射结正向压降是0．7V左右还是0．2V左右，并找出可能的b极和e极，正向压降约为0．7V的晶体管为硅管，约为0．2V左右的晶体管为锗管。NPN型管或PNP型管的判断原则是处于放大状态的NPN型管中其集电极电位为最高，而PNP型管中集电极电位应最低。弄清管子的类型后，再结合各电极的电位就很容易判断三极管的各个电极。 本题中晶体管为PNP锗管，A：对应集电极；B：对应发射极；C：对应基极。 4-13 解：三极管截止：发射结反向偏置或零偏，集电结反偏，饱和：发射结正向偏置，集电结正偏，放大：发射结正向偏置，集电结反偏， 本题在判别时，首先从型号判断是硅管还是锗管，硅管的|UBE|=0.6~0.7V，锗管的|UBE|=0.1~0.2V；若为NPN管，发射结正偏时，。若为PNP管，发射结正偏时，。 (a) UBE=1.71-1=0.71V；UBC=1.71-1.3=0.41V；发射结正向偏置，集电结正偏，此管为硅NPN，工作在饱和区。 (b) UBE=-0.2-0= -0.2V；UBC=-0.2-(-5)=4.8V；发射结正向偏置，集电结反偏，此管为锗PNP。 (c) UBE=2-6=-4V；UBC=2-0=2V；发射结正向偏置压差过大，已损坏，此管为锗PNP，工作在饱和区。 (d) UBE=-5.7-(-6)=0.3V；UBC=-5.7-0=-5.7V；小于发射结正向偏置电压，集电结反偏，此管为硅NPN，工作在截止区。 (e) UBE=-0.3-0=-0.3V；UBC=-0.3-(-0.1)=-0.2V；发射结正向偏置，集电结正偏，此管为锗PNP，工作在饱和区。 (f) UBE=5.3-6=-0.7V；UBC=5.3-5.3=0V；发射结正向偏置，集电结零偏，此管为硅PNP，工作在饱和区。 (g) UBE=0.67-0=0.67V；UBC=0.67-6=-5.33V；发射结正向偏置，集电结反偏，此管为硅NPN，工作在放大区。 (h) UBE=-5-(-6)=1V；UBC=-5-(-9)=4V；发射结反向偏置，集电结反偏，此管为锗PNP，工作在截止区。 第五章 5-1 解：(a)无放大作用；交流信号无法传到输出端。改正：在VBB支路上加一适当电阻。 (b)有放大作用；是共集电极放大电路。 (c)无放大作用；由于电容对交流信号短路，因此交流信号无法传送给负载。改正：将电容换为适当的电阻。 (d)无放大作用；发射结无偏置。改正：将电容C去掉，并且调换电源VBB和VCC的极性。 (e)无放大作用；发射结反偏，集电结反偏，电路处于截止区。改正：调换电源VBB、VCC和电容C1、C2的极性。 (f)无放大作用；发射结无偏置。改正：在电阻Rb支路