21第六章6.1理想MOS结构的表面空间电荷区分析.ppt

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices 理想MOS结构的表面空间电荷区 §6.1 MOSFET： Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor 前言： 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是微处理器、半导体存储器等超大规模集成电路中的核心器件和主流器件，也是一种重要的功率器件。 场效应晶体管（Field Effect Transistor，缩写为FET）是一种电压控制器件。 其导电过程主要涉及一种载流子，故也称为“单极”晶体管。 一 结构与工作原理 MOSFET结构示意图 1、当一个导体靠近另一个带电体时，在导体表面会引起符号相反的感生电荷。表面空间电荷层和反型层实际上就属于半导体表面的感生电荷。在N型半导体的栅上加正电压(a)和在P型半导体的栅上加负电压(b)，所产生的感生电荷是被吸引到表面的多数载流子，这一过程在半导体体内引起的变化并不很显著，只是使载流子浓度在表面附近较体内有所增加。 一 结构与工作原理 2、在N型半导体的栅上加负电压(c)和在P型半导体的栅上加正电压(d)，所感生的电荷与(a)、(b)相反，电场的作用使多数载流子被排斥面远离表面，从面在表面形成耗尽层，和PN结的情形类似，这里的耗尽层也是