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2017-01-08 发布于北京
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[第3章5光刻

Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.5.2 分辨率分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。设光刻加工的线条宽度为L，其分辨率为R，则有： R=1/L(mm-1) R表示每毫米中线宽为L的线条数目。在分辨率的描述中常用线宽与线条间距相等的情况： R=1/（2L）(mm-1) 光刻的分辨率受到光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。光刻的分辨率受受光源衍射的限制 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 由测不准原理可得：误差为： △L≧?/2 则最高分辨率：Rmax≦1/?(mm-1) 对于其他粒子：粒子动能：动量：p=mv 则： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 粒子的德波罗意波长：最细线条：对光子：对电子：对离子： M是离子的质量，MP是质子的质量 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.5.3 紫外线曝光通常使用汞弧光灯所产生的紫外光作为步进曝光机的光源。考虑光刻胶及光学系统的影响： K1是与光刻胶材料及工艺相关的常数，NA是曝光机光学系统的光圈值。聚焦深度： K2是另一个与光刻胶有关的常数，要在硅晶片上获得良好的图形，要有小的最小线宽，一定的聚焦深度。两者要兼顾。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 目前常用的光源波长为：436nm（G线）和365nm（I线）。当使用I线时，NA≈0.5,K1≈0.65, K2≈1.0。曝光机能提供的最佳线宽为0.47?m，聚焦深度为：1.46 ?m 目前采用248nm、 193nm的准分子激光已刻出0.18um,0.13um的线 EUV（甚远紫外线）采用13nm的甚远紫外线将进入亚0.1um时代 EUV联盟 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.5.4 X射线曝光与电子束曝光 1 X射线曝光 X射线的波长远比紫外光要短，因此在理论上可以提供更好的最小线宽，但因X射线不易被聚焦，投影式系统很难应用，X射线曝光的光刻采用接近式。点光源尺寸引起的半阴影，在光刻胶不同位置引起的几何偏差 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2 电子束曝光电子束曝光是利用聚焦后的电子束在感光膜上正确扫描出图案的方法。优点：（1）电子束的波长很小，衍射现象可以忽略不计。（2）能在计算机的控制下，不用掩摸在晶硅片上生成亚微米级的图案。（3）可用计算机进行不同图案套刻，精度很高。缺点：效率太低，同时电子在光刻胶中的散射也降低了分辨率 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose P