2005年补考(答案)..doc

2005年 秋 学期《 半导体物理(补考)》试卷 命题教师 陈治明 系主任审核 考试形式 闭卷 考试类型 √学位课 非学位课 （请打√选择） 考试班级 微电03－1、2班 电子03－1、2班 考试日期 06 年2月 日 考试时间 2小时 班 级 姓名 学号 成绩 注意：1．命题时请适当留答题位置。请用深蓝色墨水书写，字、图清晰，书写不出边框。 2．答题演草时不许使用附加纸，试卷背面可用于演草。试卷不得拆开。 一、基本概念（每小题8分，共40分） 1、假定某一维晶格的导带底附近能量EC(k) 和价带顶附近能量EV(k)与一维波矢k的函数关系可分别表示为和，其中k1表示布里渊区中一个确定的非零波矢，和分别为普朗克常数和电子的惯性质量。求该一维晶格的禁带宽度（用k1、和表示出来即可），并判断该晶格的能带结构属何种类型。 解：由，知该一维晶体之导带底位于处，其相应之能量为；而由，知其价带位于处，其相应之能量为。于是，得其禁带宽度 因为，即导带底与价带顶不在布里渊区同一位置，因而该一维晶体的能带结构属间接禁带型。 2、接上题，求该一维晶格中导带底电子和价带顶空穴的有效质量mn* 和mp*。 解：； 教务处印制 共 页 （第 1 页） 3、已知某半导体在不含任何杂质的情况下，靠本征激发在某温度下获得相等的电子和空穴密度；今若对该半导体掺以浓度为的施主杂质，则其电子和空穴密度在此温度下应为多少？假定此时其施主杂质已全部电离。 解：因其施主杂质全部电离，所以，电子密度；按题意，该半导体在该温度下的本征载流子密度为，因此，由知其空穴密度应为。 4、请写出公式和中参数的名称及其代表的物理含义，并简要说明决定其大小的物理过程。 解：公式中的通常被称作载流子的平均自由时间（或驰豫时间），它代表运动载流子在连续两次散射之间经历的平均时间；在有电场的情况下，平均自由时间即为电场对载流子的平均有效作用时间。平均自由时间的大小主要决定于载流子在输运过程中所遭遇的散射机构。 公式中的通常被称作额外载流子寿命或少子寿命，它代表额外载流子从因注入而产生到因复合而消失所经历的平均时间，也即载流子系统从稳定的非平衡状态恢复到热平衡状态所需要的时间。少子寿命的大小主要决定于电子空穴的复合过程，但陷阱中心的存在会对复合过程产生延迟作用，使寿命延长。 5、示意地画出pn结在零偏置、正偏置和负偏置三种状态下的能带结构图。注意清楚标注外加电压的极性和费米能级（准费米能级）的位置及其变化。 教务处印制 共 页 （第 2 页） 二、综合分析（每小题10分，共40分） 分析比较金属和半导体的电阻率随温度变化的基本规律和特点，并说明与之相关的物理内涵。注意所考虑的温区要足以反映电阻率变化的全部特征。 材料的电阻率与其载流子的密度和迁移率成反比，因而其电阻率随温度的变化规律决定于载流子的密度和迁移率随温度的变化规律。从接近绝对零度的极低温到材料熔化之前的整个温度范围，金属的电阻率基本上随着温度的升高而升高，即具有正的温度系数。这是因为，若不考虑材料的热胀冷缩，金属的自由电子密度几乎不随温度变化，但晶格振动对电子运动的散射作用随着温度的升高而增强，电子迁移率随着温度的升高而下降，因而电阻率随着温度的升高而升高。 半导体电阻率随温度升高的变化基本上分三段。从接近绝对零度的极低温到半导体中的浅能级杂质完全电离的所谓杂质电离温区（低温区），以及本征载流子密度高于掺杂浓度的本征激发区（高温区），其电阻率都随着温度的升高而剧烈下降，这是因为其载流子密度在这两个温区都是随着温度的上升而指数升高，尽管载流子的迁移率在这两个温区基本上都随着温度的升高而降低，但其变化规律大体为幂函数，迁移率降低对电阻率的影响远不如载流子密度升高的作用大。在上述两个温区之间的所谓饱和区（中温区），半导体中的杂质已全部电离而本征载流子密度还不够高，其载流子密度也像金属一样基本不变，但迁移率受晶格振动的影响随温度上升而降低，因而电阻率随着温度的升高而升高。 有三块Si样品，分别掺浓度相同的杂质As、B和Ga，已知这三种杂质的电离能分别是0.049eV, 0.045eV 和0.065eV，若某温度下杂质As刚好完全电离，请将这三块硅晶体按该温度下电阻率由高到低的顺序排列起来，并说明你的排序理由。 电阻率由高到低的顺序是掺Ga样品、掺B样品和掺As样品。因为Ga的电离能比As高得多，在As杂质刚好全电离的温度下比未能完全电离，即其多数载流子（空穴）的密度较低，且硅中空穴迁移率大抵只有电子迁移率的1/3，所以掺Ga样品的电阻率最高；由于