2013光电子器件试题A..docVIP

成都信息工程学院考试试卷 2012——2013 学年第 2 学期 课程名称： 光电子器件 使用班级： 电科10级 试卷形式：开卷 闭卷 √ ． 试题 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 一、选择题（共20分，每小题2分） 1. 对于P型半导体来说，以下说法正确的是（ ）。 A 电子为多子 B 空穴为少子 C 能带图中施主能级靠近于导带底 D 能带图中受主能级靠近于价带顶 2. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（ ）。 A Si光电二极管 B PIN光电二极管 C 雪崩光电二极管 D 光电三极管 3. 对于光敏电阻，下列说法不正确的是（ ）。 A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系 B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度 C 光敏电阻具有前历效应 D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动 4. 下列探测器最适合于作为光度量测量的探测器（ ） A 热电偶 B 红外光电二极管 C 2CR113蓝硅光电池 D 杂质光电导探测器 5.电荷耦合器件分（ ） A 线阵CCD和面阵CCD B 线阵CCD和点阵CCD C 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD 6.光通亮φ的单位是（ ） A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C流明 (lm) D坎德拉(cd) 7.硅光二极管主要适用于（ ） A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区 8.可见光的波长范围为（ ） A 200—300nm B 300—380nm C 380—780nm D 780—1500nm 9.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和（ ） A 计算 B 显示 C 检测 D 输出 10. 热效应较大的光是（ ）。 A 紫光 B. 红光 C 红外 D 紫外 二、填空题（共20分，7、8、9题每空2分，其余每空1分） 1. 激光器的三个主要组成部分是： 、 、 。 2. 光电池是根据___________效应制成的将光能转换成电能的一种器件。 3. 光电探测器的最小可探测功率是指__________________________________。 4．CCD与其它器件相比，最突出的特点是它以_____________作为信号，而其他大多数器件是以_____________或者______________作为信号。 5．CCD的工作过程是信号电荷的__________________、________________、______________和_________________。 6. 当温度上升时，热敏电阻的阻值也上升，则电阻的温度系数为正，反之为负，那么金属材料的热敏电阻的温度系数为_____________，半导体材料的热敏电阻温度系数为__________________。 7. 光电二极管的灵敏度为R，光的频率为ν，则其量子效率为____________。 8. 光敏电阻的禁带宽度为2eV,则其光谱响应的峰值波长为____________。 9. 某一探测灵敏度为10μA/μW,噪声电流为0.01μA，当信号电流为10μA时，此时的噪声等效功率（NEP）为____________。 三、分析说明题（共28分，每小题7分） 1、画出PIN光电二极管的结构图和能带图，并分析说明其频率特性为什么比普通二极管好。 2、分别画出正、零和负电子亲和势光电阴极材料的能级图，并分析说明如何获得负电子亲和势。 3、图a为 TCD1206二相驱动波形（Φ1、Φ2相位差1800），根据图a、b分析说明如何实现电荷的存储和转移的。 4、何为微通道板？画出微通道板基本结构图，并分析说明器件如何实现倍增。 四、计算题（共32分，第1题12分，其余每小题10分） 1、某光电管伏安特性及负载线如图所示，求： (1) 灵敏度Ri (2) 负载电阻RL (3) u′和u″ (4) 入射光功率从4μW降为1μW时，输出电压变化Δu 已知光电倍增管（GDB—126型）的光电阴极面积Ak=2cm2阴极灵