期中考试模拟电路试卷.docVIP

2012-2013学年第一学期期中考试试卷 《模拟电路》 （供电子信息专业使用） 注意事项： 1．请按要求在试卷的密封区填写专业、班级、姓名和学号。 2．请仔细阅读各种题目的答题要求，在规定的位置填写答案。 3．不要在试卷上乱写乱画，不要在密封区填写无关的内容。 题号 一 二 三 四 总分 得分 总分合计人： 复核人： 得分 评卷人 一、填空题 （类型说明：共19题，每空1分；满分45分） 1、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。 2、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 3、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子—空穴对 。 4、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和 电子（N） 半导体两大类。 5、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。 6、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。 7、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是 结 电容。 8、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。 9、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。 10、三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（RC）耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合_，其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号。 11、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 ，而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。 12、为了保证三极管工作在放大区，要求： 发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。 13、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用 共射 组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用 共集 组态。 14、影响放大电路通频带下限频率fL的是 隔直 电容；上限频率fH的是 极间 电容。 15、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。 16、场效应管属于 电压控制电流 型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。 17、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。 18、用示波器观察到NPN硅管uce的波形如图 1 所示这是 饱和 失真调整Rb可使波形趋向于正弦，Rb数值应 增大 。 19、画放大电路的直流通路时，可视电容为____开路___，电感为___短路___ 得分 评卷人 二、单项选择题 （类型说明：共15题， 每题1分；满分15分） 1、PN结正向偏置时，其内电场被（ ） A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、在本征半导体中掺入（　　）构成P型半导体。 A、3价元素　　　B、4价元素　　　 C、5价元素　　 D、6价元素 4、 PN结V—I特性的表达示为（ ） A、 B、 C、 D、 5、对于单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为FH、fL，当f=fL时，UO滞后Ui（ ）度 A、180 B、135 C、90 D、45 6、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 7、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应当（ ） A、短路 B、开路 C、保留不