《模拟电子技术课件-江修波》1.3 双极型晶体管.pptVIP

1.了解三极管的基本结构，熟悉其放大原理； 2.掌握三极管电流分配关系，熟悉其输入、输出特 性。 §1.3 双极型晶体管 学习目标： 1.三极管的电流分配关系和放大原理； 2.三极管的输出特性曲线和基本参数。 学习重点： 电气学院学习部资料库 一、晶体管的结构及类型 双极型晶体管又称晶体三极管、半导体三极管等。 发射区 集电区 基区 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。 半导体三极管由两个PN 结构成。类型:NPN 型和PNP 型。 c 集电极 e 发射极 b 基极 N N P NPN型晶体管结构 集电结(Jc) 发射结(Je) 电气学院学习部资料库 P P N PNP型晶体管结构 e c b N N P NPN型晶体管结构 e c b NPN型晶体管符号 b c e PNP型晶体管符号 b c e 电气学院学习部资料库 二、电流分配与放大原理 1、内部载流子的运动规律 以NPN管共射放大电路为例 I C I B R B E B E C R C V V μ A mA + U CE － + U BE － 三极管基本放大电路 EcEB 放大状态：发射结正偏，集电结反偏。 电气学院学习部资料库 （1）发射区向基区扩散自由电子 EB RB RC EC 发射结正偏，多数载流子（自由电子）的扩散运动加强； 发射区自由电子不断扩散到基区形成电流IEN； IEP IE IEN 基区空穴扩散到发射区形成电流IEP； 发射极电流： IE＝IEP+IEN ； 由于基区掺杂浓度很低，空穴电流很小，IE≈IEN； 发射结(Je) 电气学院学习部资料库 EB RB RC EC IEP IE IEN （2）自由电子在基区扩散和复合 发射结自由电子浓度很高，继续向集电结方向扩散； 扩散过程中，自由电子与空穴复合。 IBN 电源VB的作用下，自由电子与空穴的复合运动不断进行，形成电流IBN； 希望复合掉的自由电子越少越好，所以基区要做得薄，且掺杂浓度低（放大得内部条件）； 电气学院学习部资料库 集电结 EB RB RC EC IEP IE IEN （3）集电区收集从发射区扩散过来得自由电子 集电结反偏，内部电场加强，阻碍多数载流子的扩散运动，但可将发射区扩散到基区并到集电结边缘的自由电子拉到集电区，形成电流 ICN ； 内电场加强，漂移运动加强，少数载流子得运动，形成电流 ICBO ，是构成 IB 与 IC 的一小部分。 ICN IC ICBO IB IBN 电气学院学习部资料库 2、电流分配关系 EB RB RC EC IEP IE IEN IBN ICN IC ICBO IB 电气学院学习部资料库 ～ + － ui EB + － uI RB RC EC 3、晶体管的共射电流放大系数 静态（直流）：当ui为零时， uI=EB； 动态（交流）： （1）令△u＝0，即静态 定义共射直流电流放大系数： ICBO：发射极开路，集电结反向饱和电流； ICEO：基极开路，流过C、E之间的穿透电流。 电气学院学习部资料库 ～ + － ui EB + － uI RB RC EC （2）令△u≠0，即动态 定义共射交流电流放大系数： ～ + － ui Ee + － uI Re RC EC iB iC iE 4、共基电流放大系数 定义共基直流电流放大系数： 电气学院学习部资料库 定义共基交流电流放大系数： 三、晶体管的共射特性曲线 1、输入特性曲线 测量电路 I C I B R B E B E C R C V V μ A mA + U CE － + U BE － 电气学院学习部资料库 （1）随着UCE增大，曲线右移； UCE ＝0 时，相当于两个PN结并联。UCE越大，从发射区扩散到基区的自由电子与空穴复合的数量越少，故要获得同样得iB，就需加大uBE； （2）当UCE≥1V时，输入特性曲线重合； 当UCE≥1V时，集电结处于反向偏置，且内电场已足够大，基区比较薄，已经可以将从发射区扩散到基区的电子大部分拉入到集电区； （3）存在一段死区； 当发射结电压大于死区电压时，才会有电流iB。 电气学院学习部资料库 2、输出特性曲线 uCE/V iC/mA IB=0 I