《模拟电子技术课件-江修波》1.4 场效应管.pptVIP

易受静电影响 不受静电影响 静电影响 较小 较大 噪声 电压输入 电流输入 输入量 电压控制电流源 电流控制电流源 控制 多子参与导电 多子与少子同时参与导电 导电载流子 单极型场效应管 双极型三极管 不宜大规模集成 几十到几千欧 制造工艺 输入电阻 适宜大规模和超大规模集成 几兆欧以上 三个电极 发射极与集电极不能互换使用 漏极与源极可以互换使用 五、场效应管与晶体管的比较 电气学院学习部资料库 §1.4 场效应管 1.熟悉场效应管的结构、分类 2.了解场效应管的的工作原理、主要参数和应用 绝缘栅型场效应管的结构特点 绝缘栅型场效应管的特性曲线 学习目标 学习重点 电气学院学习部资料库 §1.4 场效应管 场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 场效应管 结型场效应管 （JFET） 绝缘栅型场效应管 （MOS） N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 电气学院学习部资料库 一、结型场效应管 1、结构(以N沟道为例) N P+ P+ 三个电极：g：栅极 d：漏极 s：源极 两个PN结夹着一个N型沟道。 g 栅极 d 漏极 s 源极 N沟道 P沟道 符号： 电气学院学习部资料库 1、工作原理 N沟道结型场效应管正常工作，应在uGS0，耗尽层承受反向电压（uGS对沟道的控制作用，又保证栅－源之间内阻很高），uDS0，形成漏极电流iD。 （1）栅源电压对沟道的控制作用 耗尽层 N P+ P+ s d g ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 uGS=UGS(off)夹断电压。 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，导电沟道最 宽。 ②当│uGS│↑时，沟道电阻增大。 VGG （uGS） 电气学院学习部资料库 （2）当uGS为0～UGS(off)中某一值，uDS对iD的影响 N P+ P+ d g s VGG （uGS） VDD （uDS） iD ①当uDS=0时， iD=0。 ②当uDS≠0时，从d→s电位依次减小，即耗尽层承受的反向电压由d→s逐渐减小，故宽度也沿着d→s方向逐渐变窄。 uDS → iD ③当uGD= UGS(off)时，漏极的耗尽层出现夹断。 ＋ － uDS ＋ － uGS ＋ uGD － uGD＋uDS－uGS＝0 uGD ＝uGS － uDS 电气学院学习部资料库 N P+ P+ d g s VGG （uGS） VDD （uDS） iD ③当uGD UGS(off)时，漏极的耗尽层夹断层加长。 uDS增大，电流iD基本不变。 a、uDS增大，夹断区加长，自由电子运动受阻，电流iD减小； b、uDS增大， d→s 纵向电场加强，电流iD增加； （3）当uGSUGS(off)时，uGS对iD的控制作用 当uGD UGS(off)时，当uDS为常量时，uGS的大小影响iD的大小，也就时说，可以通过改变uGS控制iD的大小。 电气学院学习部资料库 场效应管是电压控制元件，用gm（低频跨导）来描述动态的栅－源电压对漏极电流的控制作用： 小结： （1）当 uGD＝ uGS － uDS UGSoff 时，导电沟道未出现夹断，对应不同的 uGS ，d－s 间可等效不同的电阻； （2）当 uGD＝ UGSoff 时，导电沟道出现预夹断； （3）当 uGD＝ uGS － uDS UGSoff 时，导电沟道出现夹断，iD取决于uGS ，而与uDS无关。 （4） PN 结反偏，iG ≈ 0。 电气学院学习部资料库 3、 结型场效应管的特性曲线 （1）输出特性曲线 可变电阻区 恒流区 击穿区 夹断区 iD(mA) uDS(V) uGS＝0V uGS＝－1V uGS＝－2V uGS＝－3V uGS＝－4V 预夹断轨迹 ①可变电阻区：导电沟道未夹断前，uDS与iD线性关系，对应不同的uGS， d－s 间可等效不同的电阻； ②恒流区：导电沟道出现夹断，iD取决于uGS ，而与uDS无关 ； ③预夹断轨迹：uGD＝ uGS － uDS ＝UGS(off) ④夹断区：uGS UGS(off)时，导电沟道完全被夹断，iD≈0。 电气学院学习部资料库 （2）转移特性曲线 iD(mA) uDS(V) uGS＝0V uGS＝－1V uGS＝－2V uGS＝－3V uGS＝－4V 0 -3 -1 2 iD(mA) uGS（V） 1 -4