《模拟电子技术课件-刘伯恕》1.4 场效应管.pptVIP

场效应管是电压控制元件，用gm（低频跨导）来描述动态的栅－源电压对漏极电流的控制作用： N沟道结型场效应管小结： （1）当 uDSuGS?uGS(off)时，导电沟道未出现夹断，对应不同的 uGS ，d－s 间可等效不同的电阻； （2）当 uDS=uGS?uGS(off)时，导电沟道出现预夹断； （3）当 uDS uGS －uGS(off )时，导电沟道出现夹断，iD取决于uGS ，而与uDS无关。 （4） uGS0,PN 结反偏，iG ≈ 0。 电气学院学习部资料库 3、 结型场效应管的特性曲线 （1）输出特性曲线 可变电阻区 恒流区 击穿区 夹断区 iD(mA) uDS(V) uGS＝0V uGS＝－1V uGS＝－2V uGS＝－3V uGS＝－4V 预夹断轨迹 ①可变电阻区：导电沟道未夹断前，uDS与iD线性关系，对应不同的uGS， d－s 间可等效不同的电阻； ②恒流区：导电沟道出现夹断，iD取决于uGS ，而与uDS无关 ； ③预夹断轨迹：uDS＝ uGS － uGS(off) ④夹断区：uGS UGS(off)时，导电沟道完全被夹断，iD≈0。 电气学院学习部资料库 （2）转移特性曲线 iD(mA) uDS(V) uGS＝0V uGS＝－1V uGS＝－2V uGS＝－3V uGS＝－4V 0 -3 -1 2 iD(mA) uGS（V） 1 -4 -2 4 3 UGS（off） IDSS 恒流区的转移特性曲线近似一条 IDSS：饱和漏电流。uGS=0时， 产生预夹断后的漏极电流； 电气学院学习部资料库 三、场效应管的主要参数 1、直流参数 （1）开启电压UGS(th)： 增强型MOS管的参数 （2）夹断电压UGS(off)： 结型场效应管和耗尽型MOS管的参数 （3）饱和漏极电流IDSS： 耗尽型管，在UGS＝0时产生预夹断后的漏极电流 P 49 图1.4.13 场效应管的符号及特性 电气学院学习部资料库 2、交流参数 （4）直流输入电阻RGS(DC): 栅－源电压与栅极电流之比。结型管大于107Ω，MOS 管大于109Ω。 （1）低频跨导gm： 表示uGS对iD控制作用的强弱 uGS1=UGS(th) iD(mA) uDS(V) uGS5 uGS4 uGS3 uGS2 △iD △uGS uGS iD △iD △uGS 某点切线斜率 电气学院学习部资料库 3、极限参数 （2）极间电容： 场效应管的三个极之间均存在极间电容。高频电路中，考虑极间电容的影响。管子的最高工作频率fM是综合考虑了三个电容的影响而确定的工作频率的上限值。 （1）最大漏极电流IDM： 管子正常工作时漏极电流的上限值。 （2）击穿电压： U (BR)DS：管子进入恒流区后，使iD骤然增大的uDS。 U (BR)GS：结型管：使栅极与沟道间PN结反向击穿的uGS。 MOS管：使绝缘层击穿的uGS。 电气学院学习部资料库 （3）最大耗散功率PDM： PDM决定管子允许的温升。 PDM确定后，可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线，再根据由IDM和U(BR)DS可得到管子的安全工作区。 四、MOS管使用注意事项 2、在使用场效应管时，要注意漏源电压、漏源电流及耗散功率等，不要超过规定的最大允许值。 1、保存MOS管应使三个电极短接，避免栅极悬空； 电气学院学习部资料库 MOS场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题． 由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的电荷就很难通过这个电阻泄放掉，电荷的累积造成了电压的升高，尤其是在极间电容比较小的情况本下，少量的电荷就会产生较高的电压，以至管子还没使用或者在焊接时就已经击穿或者出现指标下降的现象，特别是MOS管，其绝缘层很薄，更易击穿损坏。 保存MOS管应使三个电极短接，避免栅极悬空 电气学院学习部资料库 易受静电影响 不受静电影响 静电影响 较小 较大 噪声 电压输入 电流输入 输入量 电压控制电流源 电流控制电流源 控制 多子参与导电 多子与少子同时参与导电 导电载流子 单极型场效应管 双极型三极管 几十到几千欧 输入电阻 几兆欧以上 三个电极 发射极与集电极不能互换使用 漏极与源极可以互换使用 五、场效应管与晶体管的比较 电气学院学习部资料库 晶体管噪声 ? 　　在晶体管内，载流子的不规则运动引起不规则变化的电流起伏，因而产生不规则变化的电压起伏，这种不规则变化的电流和电压形成晶体管的噪声。晶体管噪声是晶体管的重要参数。 　　晶体管按工作原理可分为两大类，一类是双极型晶体管；另一类是单极型晶体管,即场效应晶