[第2章高频小信号放大-定2.pptVIP

2.3 宽频带放大器 宽频带放大器既要有较大的电压增益, 又要有很宽的通频带, 所以常用电压增益Au和通频带BW的乘积作为衡量其性能的重要指标, 称为增益带宽积, 写成G·BW=Au fH。增益带宽积越大的宽频带放大器的性能越好。  宽频带放大器既可由晶体管和场效应管组成, 也可以由集成电路组成。  失配法通过增大负载电导ＹL, 进而增大总回路电导, 使输出电路严重失配, 输出电压相应减小, 从而反馈到输入端的电流减小, 对输入端的影响也就减小。可见, 失配法是用牺牲增益而换取电路的稳定。  用两只晶体管按共射—共基方式连接成一个复合管是常采用的一种失配法。 由于共基电路的输入导纳较大, 当它和输出导纳较小的共射电路连接时, 相当于使共射电路的负载导纳增大而失配, 从而使共射晶体管内部反馈减弱, 稳定性大大提高。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在通信系统中，前置低噪放大器和混频器之后的中频放大器一般采用宽带小信号放大器。 宽带放大器的晶体管特性一般采用混合π型等效电路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ｒbb′： 基区体电阻, 约１５Ω～５０Ω。  ｒb′e： 发射结电阻re折合到基极回路的等效电阻, 约 几十欧到几千欧。  ｒb′c：集电结电阻, 约１０kΩ～１０MΩ。  ｒce：集电极—发射极电阻, 几十千欧以上。 ｃb′e：发射结电容, 约１０ 皮法到几百皮法。 ｃb′c：集电结电容, 约几个皮法。 ｇm：晶体管跨导, 几十毫西门子以下。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 由于集电结电容C b′c跨接在输入输出端之间, 是双向传输元件, 使电路分析复杂化。为了简化电路, 可以把C b′c折合到输入端b′、 e之间, 与电容C b′e并联, 其等效电容为：  CM=(1+gmR′L)Cb′c  即把Cb′c的作用等效到输入端, 这就是密勒效应。其中gm是晶体管跨导, R′L是考虑负载后的输出端总电阻, CM称为密勒电容。 另外, 由于rce和rb′c较大, 一般可视其开路。这样可 利用密勒效应简化高频混合π型等效电路。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 其中k为波尔兹曼常数, T是电阻温度(以绝对温度K计量), IEQ是发射极静态电流, β0是晶体管低频短路电流放大系数, fT是晶体管特征频率。  确定晶体管混合π型参数可以先查阅手册。 晶体管手册中一般给出rbb′、Cb′c、β0和fT等参数, 然后根据此式可以计算出其它参数。 注意各参数均与静态工作点有关。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client