第01章半导体器件失效分析概论.docVIP

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  • 2017-01-09 发布于重庆
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第01章半导体器件失效分析概论

第一章半导体器件失效分析概论 1*失效分析的产生与发展 随着微电子学的飞速发展,半导体器件已广泛应用于宇航/军事/工业和民用产品中。所以对半导体器件的可靠性研究也更加重要。 半导体器件的可靠性的研究主要包括两方面:一是评价可靠性水平(如可靠性数学/可靠性试验/可靠性评估等);二是如何提高可靠性(如失效分析/失效物理/工艺监控/可靠性设计等)。虽然器件可靠性研究首先是从评价可靠性水平开始的,但研究重点逐渐在转向如何提高可靠性方面。因为可靠性研究不仅是为了评价器件可靠性,更重要的是为了提高可靠性,所以失效分析的失效物理研究越来越受到广大可靠性工作者的重视。失效分析和失效物理研究的迅速发展并不单是为了学术研究的需要,更重要的是为了满足可靠性工程迅速发展的需要。特别是60年代以后,随着可靠性研究的发展和高可靠半导体器件及大规模集成电路的出现,可靠性研究遇到了难以克服的困难(例如失效率10-7意味着10000个器件作1000小时试验之后才能得出这一结果)。第二,半导体器件和集成电路的品种及工艺更新速度很快,使得过去取得的可靠性数据常常变得不适用。第三。当代电子设备和系统的日益复杂化/综合化,并对器件提出了高可靠的要求。为了解决以上的问题,迫切需要一种既省时间,又省费用

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