6实验六晶体的电光调制实验..docVIP

实验七 晶体的电光调制实验 一、实验目的： 1、了解电光调制的基本原理及铌酸锂晶体横向调制的基本机构。 2、掌握铌酸锂电光调制器的调试方法并测量和计算晶体的特性参数。 二、实验仪器： DGT-1电光调制实验仪，晶体电光调制器，半导体激光器，双踪示波器等。 三、实验原理： 某些晶体在外加电场的作用下，其折射率随外加电场的改变而发生变化的现象称为电光效应，利用这一效应可以对透过介质的光束进行幅度,相位或频率的调制，构成电光调制器。电光效应分为两种类型： （1）一级电光（泡克尔斯—Pockels）效应，介质折射率变化正比于电场强度。 （2）二级电光（克尔—Kerr）效应，介质折射率变化与电场强度的平方成正比。 本实验仪使用铌酸锂（LiNbO3）晶体作电光介质，组成横向调制（外加电场与光传播方向垂直）的一级电光效应。 图1 横向电光效应示意图 如图1所示，入射光方向平行于晶体光轴（Z轴方向），在平行于X轴的外加电场（E）作用下，晶体的主轴X轴和Y轴绕Z轴旋转45°，形成新的主轴X’轴—Y’轴（Z轴不变），它们的感生折射率差为Δn，并正比于所施加的电场强度E： 式中r为与晶体结构及温度有关的参量，称为电光系数。 n0为晶体对寻常光的折射率。 当一束线偏振光从长度为l、厚度为d的晶体中出射时，由于晶体折射率的差异而使光波经晶体后出射光的两振动分量会产生附加的相位差δ，它是外加电场E的函数： (1) 式中λ为入射光波的波长；同时为测量方便起见，电场强度用晶体两极面间的电压来表示，即U=Ed。 当相差时，所加电压 (2) 称为半波电压，它是一个可用以表征电光调制时电压对相差影响大小的重要物理量。由（2）式可见，半波电压 决定于入射光的波长λ以及晶体材料和它的几何尺寸。由（1）、（2）式可得： δ（U）=（πU / Uπ）+δ0 (3) 式中δ0为U=0时的相差值，它与晶体材料和切割的方式有关，对加工良好的纯净晶体而言δ0=0 。 图2 电光调制器工作原理 图2为电光调制器的工作原理图。 由激光器发出的激光经起偏器P后只透射光波中平行其透振方向的振动分量，当该偏振光IP垂直于电光晶体的通光表面入射时，如将光束分解成两个线偏振光，则经过晶体后其X分量与Y分量会产生的相差，然后光束再经检偏器A，产生光强为IA的出射光。当起偏器与检偏器的光轴正交（A⊥P）时，根据偏振原理可求得输出光强为： (4) 式中，为P与X两光轴间的夹角。 若取，这时U对IA的调制作用最大，并且 IA = IP sin2 ［δ（U）/2］ (5) 再由（3）式可得 IA = IP sin2 ［(1/2) (πU/Uπ)］ 于是可画出输出光强IA与相差δ（或外加电压U）的关系曲线， 即 或 如下图3所示: 图3 光强与相差（或电压）间的关系 由此可见：当 （k=0，±1，±2，…）时，IA=0 当时， IA= IP 当为其它值时， IA在之间变化 由于晶体受材料的缺陷和加工工艺的限制，光束通过晶体时还会受晶体的吸收和散射，使两振动分量传播方向不完全重合，出射光截面也就不能重叠起来。 于是，即使两偏振光处于正交的状态，且在 的条件下， 当外加电压时，透射光强却不为0， 即 时，透射光强也不为IP， 即 由此需要引入另外两个特征参量： 消光比 透射率 式中，I0为移去电光晶体后转动检偏器A得到的输出光强最大值。 M愈大，T愈接近于1，表示晶体的电光性能愈佳。半波电压，消光比M，透光率T是表征电光晶体品质的三个特征参量。 从图3可见，相差在（或）附近时，光强IA与相差（或电压U）呈线性关系，故从调制的实际意义来说，电光调制器的工作点通常就选在该处附近。图4为外加偏置直流电压与交变电信号时光强调制的输出波形图。 图4