制造与封装对器件电性的影响分析.pptVIP

制造与封装对器件电性的影响 （4）击穿特性差 击穿特性差有如下表现。 ① 管道型击穿图6。管道型击穿的特点是击穿曲线像折线或近似折线。它产生的原因是形成的基区光刻小岛，有p—n结尖峰、材料中有位错集中点或表面有破坏点等形成的基区局部穿通，硼扩前表面有n型杂质和灰尘沾污形成的基区反型杂质管道等。 ② 硬低击穿图7。硬低击穿的特点是击空特性硬，击穿电压低。产生的原因与管道型击穿类似。如集电结有缺陷集中点或局部损伤以至断裂；基区大面积穿通或存在大的反型杂质管道。 ③ 软击穿图 8。软击穿的特点是反向漏电大，没有明显的击穿点。产生原因与反向漏电大相同。 （5）饱和压降大图9（a）、（b）饱和压降大分两图说明。 图9（a）特点：曲线上升部分不陡或浅饱和区宽。原因：ρc、Wc过大，导致rcs过大或在低压下集电结势垒区载流子达不到极限散射速度；基区掺杂浓度很低时也会导致VCES增大。 图9（b）特点：低电压下曲线上升很缓慢，其它部分较正常，俗称“有小尾巴”。原因：烧结条件掌握不好，管芯与管座接触电阻rcbn过大。 场效应晶体管（FET） 一、场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。场效应晶体管是一种电压控制器件。从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参