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模拟电子学授课教案拟电子学授课教案
成都大学教案
学院(部): 工业制造学院 系(教研室): 测控系
授课教师: 吴斌 职 称: 副教授
课程名称 电子技术基础(模拟部分) 总学分: 5 学分 总学时:80 学时 其中: 讲课 70 学时 实践 10 学时 课程类别 必修课( √ ) 选修课( ) 公共课( ) 学科课( √ ) 专业课( ) 实践课( ) 全校任选课( ) 授课对象 工业制造学院测控专业学生 考核方式 考试 教
学
基
本
目
的
和
要
求 《模拟电子技术》是测控专业必修的专业基础课,该课程不仅具有自身的理论体系且是一门实践性很强的课程。本课程的任务是解决电子技术入门的问题,使学生掌握模拟电子电路的基本工作原理、分析方法和基本技能,为深入学习后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。
教
学
重
点
和
难
点 教学重点:各类常用模拟电子元器件的原理、性能参数及应用是本课程的教学重点。
教学难点:各类常用模拟电子元器件的应用及其常见电路系统的分析和参数的选择是本课程的教学难点。 教材、
参考书 教材:电子技术基础模拟部分(第五版).康华光主编. 高等教育出版社. 2006年
教学参考书
1、《模拟电子技术》. 陶桓齐主编. 华中科技大学出版社版. 2007年
2、《模拟电路基础》. 刘光祜主编. 电子科技大学出版社. 2005年 注:此页针对课程整体内容进行填写
成都大学教案
总学时第 1 学时 — 第 2 学时
授课内容 1 绪论
1.1~1.4 教学目的
和要求 了解信号、信号的频谱、模拟信号、数字信号及放大电路模型等基本概念。 重点
难点 重点:信号、信号的频谱、模拟信号、数字信号的概念
难点:放大电路基本模型 教
学
安
排
(含课堂教学内容、教学方法、 辅助手段、师生互动、时间分配、板书设计等)
课堂教学主要以多媒体教学为主,板书教学为辅。
教学内容及时间分配:
第1学时
1 绪论
1.1 信号~1.3 模拟信号和数字信号
第2学时
1.4 放大电路模型 思考题、
课后作业 1.4.1、1.5.3 2.3.1、2.4.24 双极结型三极管及放大电路基础
4 双极结型三极管及放大电路基础
4 双极结型三极管及放大电路基础
4 双极结型三极管及放大电路基础4.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应
4.7.5 多级放大电路的频率响应 教学目的
和要求 掌握单级共集电极和共基极放大电路的频率响应特点,了解多级放大电路的频率响应的分析原则及特点 重点
难点 单级共集电极和共基极放大电路的频率响应特点 教
学
安
排
(含课堂教学内容、教学方法、 辅助手段、师生互动、时间分配、板书设计等)
课堂教学主要以多媒体教学为主,板书教学为辅。
教学内容及时间分配:
第1学时
4.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应
1. 共基极放大电路的高频响应
第2学时
4.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应
2. 共集电极放大电路的高频响应
4.7.5 多级放大电路的频率响应 思考题、
课后作业 主要
参考资料 课后自我
总结分析 备注 (对本章节的课堂教学需补充说明的内容) 注:此页针对具体授课内容填写
成都大学教案
总学时第 47 学时 — 第 48 学时
授课内容 5 场效应管放大电路
5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 教学目的
和要求 掌握场效应管的基本分类,理解N沟道增强型MOSFET的结构和工作原理 重点
难点 N沟道增强型MOSFET的结构和工作原理 教
学
安
排
(含课堂教学内容、教学方法、 辅助手段、师生互动、时间分配、板书设计等)
课堂教学主要以多媒体教学为主,板书教学为辅。
教学内容及时间分配:
5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
第1学时
5.1.1 N沟道增强型MOSFET(场效应管基本分类及结构)
第2学时
5.1.1 N沟道增强型MOSFET(工作原理) 思考题、
课后作业 主要
参考资料 课后自我
总结分析 备注 (对本章节的课堂教学需补充说明的内容) 注:此页针对具体授课内容填写
成都大学教案
总学时第 49 学时
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