电工学下册电子技术教学课件作者林珊第1章课件.pptVIP

1.1.1　本征半导体 用半导体材料制作半导体器件时，要高度提纯使之制成晶体，半导体一般都具有晶体结构，所以半导体也称为晶体，这就是晶体管名称的由来。这种完全纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体(Intrinsic Semiconductor)。 1.1.2　杂质半导体 N型半导体 2. P型半导体 1.正向特性2.反向特性 3.反向击穿特性 4.二极管的伏安特性方程 3.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM　晶体管的集电极电流IC超过一定值时，晶体管的β值将要下降，当β值下降到正常值的2/3时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM。(2)集-‥射极反向击穿电压U(BR)CEO　晶体管的基极开路时，加在集电极与发射极间的最大允许电压称为集-‥射极反向击穿电压U(BR)CEO，其值通常为几十伏至几百伏。(3)集电极最大允许耗散功率PCM　晶体管正常工作时，集电极的功率损耗PC=，PC的存在使集电结的温度(结温)升高。 【思考与练习】 1.5.1　晶闸管的导通条件是什么？关断条件是什么？ 1.5.2　晶闸管导通后，如果断开门极的触发信号，结果怎样？ 1.5.3　怎样用万用表判断晶闸管的好坏？晶闸管在使用时应注意 什么？ 图1-‥43　习题1-‥4的电路 (1)VA=VB=0V;(2)VA=3V,VB=0V;(3)VA=VB=3V。 图1-‥44