WO3半导体气体传感器的研究进展..docx

WO3半导体气体传感器的研究进展姓名：王杰 学号:MZ14714WO3半导体气体传感器的研究进展一、引言目前环境空气质量的好坏已经成为人们日常生活中非常关注的话题。为了保护和改善人们生活环境、提高空气质量，我们迫切地需要研发一种高灵敏度、低成本、易维护的气体传感器，从而能够有效地对有害、有毒、易燃、易爆的气体进行检测和检验。因此，气体传感器成为目前研究的热点。气敏材料是整个气体传感器的关键部分。n型金属氧化物半导体WO3作为一种优良的气敏材料，具有气质变色、压敏效应等优点。它可被应用为光学气敏材料、压敏型气敏材料、SAW气敏材料和电阻型气敏材料。其中WO3作为电阻型气敏材料研究最为广泛、最为成熟，它可检测H2S、NOx、O3、H2、CH4、CO和NH3等气体。它的工作机理是基于待测气体的吸附和紧随的表面反应过程所引起的电阻变化。近年来，经过通过研究者的不断努力，人们在WO3半导体气敏材料的灵敏度、降低工作温度、选择性、响应/恢复时间、稳定性等性能指标上做出了众多的成就。为了促进WO3半导体气体传感器早日实现商业化生产，我们还必须对WO各方面的气敏指标做进一步完善。本文就WO3半导体气体传感器的应用场合、WO3体系和加工工艺进行论述。二、WO3半导体气体传感器的应用场合WO3是一种宽带隙的 n 型半导体，作为一种优良的半导体气敏材料， 已被认为是检测H2S 、NOx、O3和NH3等最有前景的新型氧化物气敏材料之一。2.1 WO3基NO2气体传感器NO2气体为有毒有害气体，对人体呼吸系统损害大，同时是形成酸雨的主要物质。因而 NO2气体的监控和检测，对环境保护和健康保障十分重要，研究开发 NO2气敏传感器具有学术研究价值和实用应用意义。WO3作为一种近年来发展起来的半导体功能材料，在气敏传感器等领域得到越来越广泛的应用，其对 NO2气体表现出良好的气敏性。Akiyama等曾报道WO3陶瓷在300℃工作时是检测NOx的高敏感材料。随后的两年里人们研究了诸如半导体型、电化学型等各种类型的NO2气敏传感器，并一致认为WO3是最具有前景的NO2气敏传感器。Inoue等通过在空气中加热分解(NH4)10W12O41制备了WO3，并采用丝网印刷法制备了WO3厚膜型NO2气敏传感器，该传感器可以检测出2~3ppm NO2气体，而且稳定性良好。同年，Sberveglieri等采用磁控溅射法制备了WO3薄膜，并研究了其在200~500℃的温度范围内对1~10ppm NOx的敏感特性。结果表明，该薄膜在上述条件对1~10ppm的NOx具有良好的重复性和气敏响应，并可以选择性地检测出CH4、CO和SO2气体，其在400℃时对10ppm NOx的灵敏度为118，但是该研究并没有探讨其气敏机理。Thomas等采用激光剥蚀法制备了WO3敏感膜并研究了其在60~250℃范围内对NO和NO2的气敏性能。结果表明，其灵敏度较低，响应时间长达数分钟。最近，Xie和Piperno研究了真空热蒸发和磁控溅射法制备的WO3薄膜、亚微孔WO3敏感膜及电纺丝法制备的WO3纳米纤维对NOx的气敏性能。例如，Xie采用真空热沉积法制备了WO3薄膜，研究了其对NO2的敏感特性。结果表明，敏感膜的退火和工作温度对NO2的敏感性能起到重要的作用。Piperno等采用电纺丝法制备了直径为150~200nm的纤维，该纳米纤维对CO没有响应，对NO2则具有良好的敏感性能。2.2 WO3基H2S气体传感器在工业生产和日常生活中，H2S气体经常以一种空气污染物形式存在，H2S气体浓度过高，不仅影响工业生产，而且会严重威胁人类和其他生物的生产，即使少量的H2S气体也会给人们的生活带来不便，工业上H2S在空气中允许的最大质量浓度为0.01mg/L ，因此迫切需要一种对H2S 气体敏感的气体元件。一般认为，WO3接触H2S后引起负电荷载流子数目增大，从而引起n型半导体WO3电阻下降。而贵金属Au的掺杂主要是降低气敏元件的响应时间，提高对H2S的灵敏度。例如，Lin报道的非晶WO3薄膜经Au、Pd、Pt掺杂后，其达稳定阻值90%的响应时间缩短至1s以内。Royster采用金属-有机物沉积工艺制备了WO3敏感膜并研究了其对H2S的敏感性能。近年来，随着研究的不断深入，许多文献报道了WO3敏感膜对ppm量级的H2S气体敏感性能，随测试温度和H2S气体浓度的不同其响应时间从3s到104s不等。例如，2005年，Ionescu制备的WO3纳米颗粒敏感膜在150~200℃范围内可检测出低至20ppb的H2S气体，其中，该敏感膜对1ppm H2S气体的灵敏度为3~5。Stankova采用磁控溅射法制备的纯的和Pt掺杂的WO3敏感膜在200℃时可检测出100ppb的H2S气体。WO3纳米晶敏感膜和WO3纳米线