§21半导体基础知识习题1--2015-9-10.docx

第2章§2.1半导体基础知识习题2.1半导体基础知识2.1.1.导体、绝缘体和半导体自然界的物质，就其导电性能，大致分为三类：一类是导电性能良好的物质叫，如银、铜、铝、铁等金属；另一类是在一般条件下不能导电的物质叫，如陶瓷、塑料、橡胶、玻璃等；还有一类物质，其导电性能介于导体和绝缘体之间称之为，如硅、锗、砷化镓等。物质的导电性能之所以不同，根本原因在于构成各种物质的原子结构不同，原子和原子间的结合方式也各不相同。图7.1.1(a)、(b)所示为常见的半导体材料硅和锗的原子结构示意图，它们分别有14个和32个电子，但最外层均为4个价电子。【了解】半导体导电性能有如下两个显著特点：（1）：往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力和内部结构发生变化。（2）：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。2.1.2 半导体类型及其导电性能1、半导体类型：半导体材料可按化学组成，可分为半导体（锗Ge，硅Si等）和化合物半导体（砷化镓GaAs）；按其是否含有杂质，可分为半导体；按其导电类型可分为；按其载流子类型可分为。2、单晶体和多晶体日常所见到的固体分为和晶体两大类，非晶体物质的内部原子排列没有一定的规律，当断裂时断口也是随机的，如塑料和玻璃等。而称之为晶体的物质，外形呈现天然的有规则的多面体，具有明显的棱角与平面，其内部的原子是按照一定的规律整齐的排列起来，所以破裂时也按照一定的平面断开，如食盐、水晶等。有的晶体是由许许多多的小晶粒组成，若晶粒之间的排列没有规则，这种晶体称之为，如金属铜和铁。但也有晶体本身就是一个完整的大晶粒，这种晶体称之为，如水晶和晶刚石。只有的半导体才适合制作半导体器件。3. 本征半导体不含任何杂质的单晶半导体，称为半导体。本征半导体的共价键结构如图7.1.2所示。在常温下，本征半导体只要得到一定的外界能量，有少数价电子就能挣脱共价键和原子核对它的束缚，从而成为自由电子(以后简称电子)，同时在原来的位置中留下一个空位，称它为空穴，如图7.1.3所示。在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的，常称为。本征半导体受热或得到其它能量而激发出电子-空穴对的现象称为。由于出现了空穴，原来显中性的硅或锗原子就变成了带正电的离子，这个正电荷可以认为是空穴所具有的。空穴既是晶格中少了电子而出现的，那么邻近的共有电子就可以来填补，这种填补可以认为是空穴携带正电荷在移动。在外电场的作用之下，本征半导体中的自由电子和空穴都可以携带电荷作定向移动，即形成电子电流和空穴电流。流过半导体的总电流即为这两种电流之和。因为自由电子和空穴都能运载电流，所以把它们统称为。空穴可看成带正电的载流子。本征半导体在常温下激发出的电子-空穴对是很少的，所以它的导电能力相当弱。常温下，本征半导体所能提供的载流子数目很少，如何提高它们的导电性能呢？在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可以使半导体的导电性能大大提高。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。在杂质半导体中，因掺入元素的不同，可分为两大类即电子半导体(N型半导体)和空穴半导体(P型半导体)。4.　N型半导体(Negative,表示负的意思)在本征半导体硅或锗的晶体内掺入微量的价元素杂质，如磷，锑等，就形成了N型半导体。由于所掺杂质其数量甚微，整体晶体结构基本不变。但晶体点阵中某些位置的硅原子将被磷原子所取代。磷原子最外层有5个价电子，它以4个价电子与相邻硅原子组成共价键后，还多余1个价电子。这个价电子不受共价键的束缚，通常在常温下即可脱离磷原子而成为自由电子，如图7.1.4所示。能给出多余价电子的杂质称为施主杂质。磷原子由于丢失1个价电子而成为带正电的磷离子，叫施主离子。正离子数目与电子数目相等，N型半导体仍然是的。磷离子不能移动，不能参与导电。掺入1个磷原子则得到1个正离子和自由电子。由此可见，N型半导体中自由电子数目可以人为控制，掺入微量磷元素就可以使半导体的自由电子数猛增，但却不增加空穴数量。这点与本征半导体产生电子不同，有1个电子必有一个空穴。相反由于自由电子增多，还增加了空穴被复合的机会，所以使空穴数量反而减少。因此，N型半导体中自由电子占绝大多数，为其多数载流子，则为少数载流子。N型半导体主要靠带负电的电子进行导电。5．P型半导体(positive,表示正的意思)在本征半导体中掺进微量的三价元素，如硼，就构成了半导体。硼原子最外层有3个价电子，掺入后，晶体点阵中某些位置为硼原子所取代，它以3个价电子与周围3个硅原子组成3个完整的共价键，还有1个共价键缺少1个价电子，因而在1个共价键上要出现1个空位，即空穴，如图7.1.5所示。在P型半导体中，空穴数远大于自由电子数。在这种半导体中，以空穴导电为主，故为多数载流子，而为少数载流子。6．杂质对半导体导电性能的影响掺入杂质以后使半导体