[IDC压接工艺.ppt

下载文档

11
0
约 62页
2017-01-10 发布于四川
举报
版权申诉
保障服务

[IDC压接工艺.ppt

1、本文档共62页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

[IDC压接工艺

1.1.1典型PN结隔离工艺流程 1.2.1 N阱硅栅CMOS工艺主要流程（参考P阱硅栅CMOS工艺流程） 1.2.7 LDD注入 1.2.8 接触孔掺杂 1.2.9 其它MOS工艺简介 * §1.2 N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 思考题 1.需要几块光刻掩膜版？各自的作用是什么？ 2.什么是局部氧化（LOCOS ) ？（Local Oxidation of Silicon) 3.什么是硅栅自对准(Self Aligned )？ 4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？ Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 场区光刻衬底准备生长SiO2和Si3N4 N阱光刻、注入、推进生长SiO2和Si3N4 N管场区光刻、注入阈值电压调整区光刻、注入清洁有源区表面、长栅氧场区氧化(局部氧化) 多晶淀积、参杂、光刻 N管LDD光刻、注入 P+有源区光刻、注入 P管LDD光刻、注入 N+有源区光刻、注入 BPSG淀积接触孔光刻 N+接触孔光刻、注入淀积金属1、反刻淀积绝缘介质通孔孔光刻淀积金属2、反刻淀积钝化层、光刻侧墙氧化物淀积、侧墙腐蚀 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程1.衬底准备 P+/P外延片 P型单晶片 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程2. 氧化、光刻N-阱(nwell) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * N阱 P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * P-Sub N阱 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. *