模电课件 1.2 半导体二极管.pptVIP

模电课件 * * * §1.2 半导体二极管 1.了解二极管的结构和类型 2.掌握二极管的伏安特性 3.熟悉二极管的使用方法 4 .了解发光二极管和光电二极管的性能、使用方法 5 .熟悉稳压管的工作原理及使用方法 1.二极管的伏安特性 2.二极管的主要参数 3.稳压管的性能、主要参数 学习目标： 学习重点： 点接触型二极管是由一根很细的金属触丝（如三价元素铝）和一块半导体（如锗）的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成。 由于点接触型二极管金属丝很细，形成的PN结面积很小，所以极间电容很小，同时，也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件，也可用来作小电流整流。如2AP1是点接触型锗二极管，最大整流电流为16mA，最高工作频率为150MHz。 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 ( a ) 点接触型 §1.2 半导体二极管 一、常见结构 §1.2 半导体二极管 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 ( b ) 面接触型 二极管的符号 阴极 阳极 ( d ) 符号 D (b)面接触型 (c) 平面型 平面型二极管是集成电路中常见的一种形式。 面接触型二极管的结构如图（b）所示。由于这种二极管的PN结面积大，可承受较大的电流，但极间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频电路中。如2CP1为面接触型硅二极管，最大整流电流为400mA，最高工作频率只有3kHz。 二、伏安特性 1、正向导通 硅：0.5 V 锗： 0.1 V 导通压降 反向饱和电流 死区 电压 击穿电压UBR 锗 伏安特性曲线 开启电压：Uon 导通电压： 硅：0.7 V 锗： 0.2V 2、反向截止 反向饱和电流 IS 反向击穿电压 U（BR） 3、温度的影响 正向特性：T 上升 ，正向压降下降2～2.5mV，曲线左移； 反向特性：T 上升 ，IS 增加一倍，曲线下移。 二极管是非线性元件 三、主要参数 1、最大整流电流 IF 2、最高反向工作电压UR 3、反向电流 IR 4、最高工作频率 fM 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。电流过大，结温太高而烧坏二极管。 二极管工作时，允许外加的最大反向电压。超过此值，二极管可能击穿。 二极管未击穿时的反向电流。 IR 越小，二极管的单向导电性越好。 二极管工作的上限频率。 四、二极管的等效电路 1、折线等效电路 二极管伏安特性具有非线性，分析电路时，常用线性元件所构成的电路等效代替。 （1）理想二极管模型：正向导通压降为零，反向截止电流为零。 ＋ － u i ＋ － u i Uon （2）正向导通压降为常数（硅管 0.7V；锗管 0.2V），反向截止电流为零； u i Uon ＋ ＋ － － Ｉ ＵＤ ＵＲ R V （1） 两种等效电路： （2） 2、微变等效电路 在Q点附近加上一个微小变化的量，则可用Q点为切点的直线近似微小变化时的曲线。 (动态电阻) + + + - - - V D R 幅值由rd与R分压决定 例题1： 试求输出电压uo。 －5V 0V uo R －12V D1 D2 解： 两个二极管存在优先导通现象。 D2导通，D1截止。 ? 例题2： 试画出电压uo的波形。 uo + - R ui UREF + - D 0 -4V 4V ui t UREF uo t UREF 解： （1）uiUREF时， （2）uiUREF时， 五、稳压二极管 1、伏安特性 u i UZ IZmin DZ 符号： 反向特性： 当I IZmin 时，没有稳压效果； 电压基本稳定只要电流不超过一定值时，稳压管就不会因发热而损坏。 D1 D2 UZ rz 等效电路： 正向导通与 二极管相同 当I IZmin时，电压变化量很小， 2、主要参数 rZ越小，稳压效果越好； （2）稳定电流IZ（IZmin）：电流小于此值时稳压效 果不好； u i UZ IZmin IZM （3）额定功耗PZM：PZM=UZ IZM ； （4）动态电阻rZ： （1）稳压值UZ； （5）温度系数α： IZM ---最大稳定电流 温度每变化1度稳压值的变化量。 　　当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在IZM和Izmin之间