关于HVCMOS..docxVIP

关于HV CMOS和DMOS的困惑alchemist 发表于: 2009-5-19 23:03 来源:?半导体技术天地一直很困惑：一般foundry对于高压器件有两条路线，1）HV CMOS工艺，一般用Double Diffusion，一般能到30V，再高就不行了；2）BCD工艺，高压一般用DMOS，一般20V、40V，更高电压也有。所谓存在的就是合理的，这两种技术能同时并存并且齐头并进的发展，肯定有它们各自的优势和适合的应用，有没有高手能解释比较一下！我的理解（猜的）：1）HVCMOS采用的是对称的结构（当然也可以有非对称管），Vgs和Vds基本相当，电路设计不受限制，应用上灵活，管子特性比较好，IV curve的形状和低压的MOS管没太大的差别；但需要额外增加较多的mask和工艺环节，同时最高电压有上限，32V顶天了。2）DMOS采用非对称结构，Vgs远小于Vds，电路设计受限制，管子特性应该没有HVMOS的好；电压可以很高，Vds 60V、100V都不成问题，增加的mask应该比HVCMOS工艺的少。不知道猜得对不对，请明白人澄清一下，谢谢！最新回复ywliaob at 2009-5-20 13:47:22QUOTE:原帖由?alchemist?于 2009-5-19 23:03 发表?一直很困惑：一般foundry对于高压器件有两条路线，1）HV CMOS工艺，一般用Double Diffusion，一般能到30V，再高就不行了；2）BCD工艺，高压一般用DMOS，一般20V、40V，更高电压也有。所谓存在的就是合理的，这 ...BCD 的mask一般會比較多?DMOS的特性在於low Rdson，用於power managerment ICHV CMOS 主用於 driver ICzhangxiaow at 2009-5-20 18:26:22二楼说到点上了，关于这方面的了解可找些资料看看，本论坛里面好象就有cfhai at 2009-5-21 22:34:10LZ好像和我理解的不一样吧？？高压mos有两种常用的实现方式1、是用井来做轻参杂，提供高耐压的漂移区。工艺可以完全做到和cmos一样比如HVNOMS，用N井在Drain端，作为漂移区，就好了。耐压也可以做到很高40V没有问题上面有场氧和多晶2、就是DMOS，有LDMOS，VDMOS还有DD结构做的。DD结构最简单，又分单边和双边DD。LDMOS和VDmos没有什么好说的。但是要做到扩散长度的差异，必然退火要讲究了。这个的耐压一般DD用来做几十V的，LD和VDMOS就决定于外延厚度，漂移区等等，耐压可以从几十V到上百都可以。具体的选用决定你的应用，应用条件耐压，栅压，导通电阻等等决定你要选择什么样的器件结构比如与常压兼容的阱做的HVmos，可以完全不增加额外光刻和工艺过程。但是如果你的gate有高压那你就要做厚栅氧，这样你要加一块厚栅氧版，区分其他普通cmo是的低压栅氧。同时你的工艺也就调整了ChipSolution at 2009-6-21 15:28:42多看多了解，还真不错welcomezhuo at 2009-6-23 14:55:35RDSON is the largest difference between DMOS HVMOS.DMOS RDSON HVMOS RDSON.panguangran at 2009-6-29 19:30:26一个是在结构设计上做调整，一个是在结构设计和工艺设计上都有调整。kokozhengwen at 2009-6-30 11:25:53发表下看法，也当对自己近来学习的总结：HV 制程是基于CMOS 工艺向high voltage的延伸，如果只是需要高压，DDD or FD结构的device基本就可以解决问题了，象LCD driver之类的应用，而如果有些更高的要求，要求高的功率转换效率，这就要求较低的Ron,这就势必采取 LDMOS结构，例如,white light LED driver and D-amplifier等。大致如此。这些都是CMOS的衍生，改动越小，成本就越低，都有一定的市场。isamue at 2009-6-30 15:08:03BCD从名字上就表明其工艺会制作bipolar器件，且这类器件在电路中会起重要作用，如果IC产品在设计之初就决定要用到bipolar或大功率的MOS器件，那制作工艺显然就不能用经典的CMOS工艺。其实做BJT和diode之类的工艺是半导体工业界最早的工艺，非常成熟，目前6寸线上大量产出这类产品，成本很低；不过当市场需要的控制芯片或系统越来越复杂的时候，设计者开始考虑将power management电路，driver电路，甚至memory都整合到一个完整的IC中来缩减