微纳光电子系统(1章沾污控制)解析.ppt

微纳光电子系统 黄鹰 教授 2014-2-18 第1章 硅片制造中的沾污控制 1.沾污源与控制 2.湿法清洗 3.干法清洗 4.硅片吸杂控制 1.1沾污源与控制 1.1.1沾污控制的三道防线: 环境净化（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） 1.1.2、环境净化 净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。 高效过滤 排气除尘 超细玻璃纤维构成的多孔过滤膜：过滤大颗粒，静电吸附小颗粒 泵循环系统 20～22?C 40～46％RH 1.1.3 沾污 1.颗粒粘附 所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。 颗粒来源： 空气 人体 设备 化学品 超级净化空气 特殊设计及材料 定期清洗 超纯化学品 去离子水 风淋吹扫、防护服、面罩、手套等，机器手/人 各种可能落在芯片表面的颗粒 粒子附着的机理：静电力，范德华力，化学键等 去除的机理有四种： 1.氧化分解 2.溶解 3.对硅片表面轻微的腐蚀去除 4.粒子和硅片表面的电排斥 去除方法：SC-1, megasonic（超声清洗） 2.金属的玷污 来源：化学试剂，离子注入、反应离子刻蚀等工艺 量级：1010原子/cm2 影响： 在界面形成缺陷，影响器件性能，成品率下降 增加p-n结的漏电流，减少少数载流子的寿命 Fe, Cu, Ni, Cr, W, Ti… Na, K, Li… 不同工艺过程引入的金属污染 干法刻蚀 离子注入 去胶 水汽氧化 9 10 11 12 13 Log (concentration/cm2) Fe Ni Cu 金属杂质沉淀到硅表面的机理 通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换，和硅结合。（难以去除） 氧化时发生：硅在氧化时，杂质会进入 去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子 M Mz+ + z e- 去除溶液：SC-1, SC-2（H2O2：强氧化剂） 还原 氧化 反应优先向左 3.有机物的玷污 来源： 环境中的有机蒸汽 存储容器 光刻胶的残留物 去除方法：强氧化 － 臭氧干法 － Piranha：H2SO4-H2O2 － 臭氧注入纯水 4.自然氧化层（Native Oxide） 在空气、水中迅速生长 带来的问题： 接触电阻增大 难实现选择性的CVD或外延 成为金属杂质源 难以生长金属硅化物 清洗工艺：HF＋H2O（ca. 1: 50） 1.2.1 清洗设备 酸碱腐蚀清洗台 有机清洗台,专用清洗台 1.2硅片清洗 甩干机、电镀、酸刻蚀、碱刻蚀台 匀胶显影台（光刻间用） 匀胶台（光刻间用） 匀胶显影机（自动；光刻间用） 洗刷器 清洗设备 超声清洗 喷雾清洗 兆声发射器 清洗容器和载体 SC1/SPM/SC2 – 石英（ Quartz ）或 Teflon（特服龙塑料）容器 HF – 优先使用Teflon，其他无色塑料容器也行。 硅片的载体 – 只能用Teflon 或石英片架 SPM：sulfuric/peroxide mixture（浓硫酸双氧水混合物） H2SO4(98％):H2O2(30％)=2:1~4:1 把光刻胶分解为CO2＋H2O （适合于几乎所有有机物） 有机物/光刻胶的两种清除方法： 氧等离子体干法刻蚀：把光刻胶分解为气态CO2＋H2O （适用于大多数高分子膜） 注意：高温工艺过程会使污染物扩散进入硅片或薄膜， 前端工艺（FEOL）的清洗尤为重要 1.2.2 硅片清洗 RCA——标准清洗（湿法清洗） SC-1（APM，Ammonia Peroxide Mixture氨水双氧水混合物）： NH4OH(28%):H2O2(30%):DIH2O(去离子水）=1:1:5～1:2:7 70～80?C, 10min 碱性（pH值7） 可以氧化有机膜 和金属形成络合物 缓慢溶解原始氧化层，并再氧化——可以去除颗粒 NH4OH对硅有腐蚀作用 OH－ OH－ OH－ OH－ OH－ OH－ RCA clean is “standard process” used to remove organics（有机物）, heavy metals and alkali （ 碱金属 ）ions. SC-2: HCl(73%):H2O2(30%):DIH2O=1:1:6~1:2:8 7