微电子器件(5-3)分析.ppt

* 5.3 MOSFET 的直流电流电压方程 以 N 沟道 MOSFET 为例，推导 MOSFET 的 ID ~ VD 方程。 ID VD 推导时采用如下假设 ① 沟道电流只由漂移电流构成，忽略扩散电流； ② 采用缓变沟道近似，即 这表示沟道厚度沿 y 方向的变化很小，沟道电子电荷全部由 感应出来而与 无关； 附：泊松方程 VD 5.3.1 非饱和区直流电流电压方程 ③ 沟道内的载流子（电子）迁移率为常数； ④ 采用强反型近似，即认为当表面少子浓度达到体内平衡多子浓度（也即 ?S = ?S,inv ）时沟道开始导电； ⑤ QOX 为常数，与能带的弯曲程度无关。 当在漏极上加 VD VS 后，产生漂移电流， 式中， 代表沟道内的电子电荷面密度。 1、漏极电流的一般表达式 （5-36） （5-37） （5-36） 当 VG VT 后，沟道中产生的大量电子对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用，所以能带的弯曲程度几乎不再随 VG 增大 ，表面势 ?S 也几乎维持 ?S,inv 不变。于是， 2、沟道电子电荷面密度 Qn QA QM Qn 当外加 VD ( VS ) 后，沟道中将产生电势 V (y)，V (y) 随 y 而增加 ，从源极处的 V (0) = VS 增加到漏极处的 V (L) = VD 。这样 ?S,inv 、xd 与 QA 都成为 y 的函数，分别为 将上面的 ?S,inv 和 QA 代入沟道电子电荷面密度 Qn 后，可知 Qn 也成为 y 的函数，即 下面对上式进行简化。 3、漏极电流的精确表达式 并经积分后得 将上式代入式（5-37） （5-37） 将 Qn 中的 在 V = 0 处用级数展开， 当只取第一项时， 当 VS = 0 ，VB = 0 时，可将 VD 写作 VDS ，将 VG 写作 VGS ，则 Qn 成为： 4、漏极电流的近似表达式 将此 Qn 代入式（5-37）的 ID 中，并经积分后得 （5-50） 再将 写作 ，称为 MOSFET 的 增益因子，则 式（5-51）表明，ID 与 VDS 成 抛物线关系，即 式（5-51）只在抛物线的左半段有物理意义。 IDsat ID VDS VDsat 0 （5-51） 此时所对应的漏极电流称为 饱和漏极电流 IDsat ， 这一点正好是抛物线的顶点。所以 VDsat 也可由令 而解出。 由 Qn 的表达式可知，在 y = L 的漏极处， 可见 | Qn(L) | 是随 VDS 增大而减小的。当 VDS 增大到被称为饱和漏源电压 的 VDsat 时，Qn (L) = 0 ，沟道被夹断。显然， （5-52） （5-53） 对于 P 沟道 MOSFET，可得到类似的结果， 式中， 以上公式虽然是近似的，但因计算简单，在许多场合得到了广泛的应用。 5、沟道中的电势和电场分布 将 代入式（5-36），得 （5-56） 令上式与式（5-51） 将上式沿沟道积分，可解得沟道中沿 y 方向的电势分布 V( y ) 为 相等，得到一个微分方程， 式中， 对 V( y ) 求导数可得到沟道中沿 y 方向的电场分布 Ey( y ) 为 当 VDS = VDsat 时，η = 0，yeff = L ，沟道电势分布和沟道电场分布分别成为 （5-59） （5-60） 6、漏极电流的一级近似表达式 当在 级数展开式中取前两项时，得 经类似的计算后可得： 式中， 以上公式与不对 做简化的精确公式已极为接近。 *