项目一元器件识别与检测解析.pptVIP

* 1.4.1 结型场效应管 结型场效应管的结构 栅极 源极 漏极 结构示意图和符号： N型导电沟道 两边是P区 基底 ： N型半导体 栅极 源极 漏极 d g S d g S * 一、工作原理（以N沟道为例） 为使N沟道结型场效应管正常工作，应在栅源之间加负电压，以保证耗尽层反偏；在漏源之间加正电压，以形成iD 1、UDS=0V时，UGS对导电沟道的控制作用 UGS=0有导电沟道R较小 UGS(off)UGS0 沟道变窄R增大 UGS?UGS(off) 沟道夹断R≈∞ 耗尽层闭合，沟道消失时的UGS称为夹断电压UGS(off) * 2、UGS(off)UGS0 时，UDS对漏极电流iD的影响 UDS=0,iD=0 UDS增加（未夹断） iD增加UGDUGS(off) 宽 UDS再增加到预夹断UGD=UGS(off) UDS再增加，夹断区加长, iD不再增加UGDUGS(off) * 3、UGDUGS(off) 时，UGS对漏极电流iD的控制作用 UGD= UGS -UDS UGS(off) 时，UDS再增加，夹断区加长, iD不再增加—→恒流区。此时，可通过改变UGS来控制iD的大小。 ∣UGS∣减小， iD增加。故称场效应管为电压控制元件。 低频跨导gm： 场效应管用gm来描述动态栅源电压对漏极电流的控制作用。 * 二、场效应管的输出特性和转移特性