新型高效晶硅电池技术(HIT)解析.ppt

HIT Solar Cell Technology sevenstar 三洋HIT电池的发展 至2008年世界HIT电池的研究现状 三洋双面HIT电池结构图 晶硅/非晶硅异质结结构 增加开路电压，提高转换效率 HIT电池工艺制程 1.硅片清洗制绒 2.正面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜 3.背面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜 4.在两面用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜 5.丝网印刷制备电极 HIT电池的优点 HIT电池具有较高的开路电压VOC，三洋规模化生产效率可超过20%。 良好的温度特性。室外使用温度经常会达到70-80度，在同样的高温下，HIT电池比晶硅太阳电池性能衰减更少。 HIT电池工艺均在200度以下，对于衬底硅材料的要求较低。热能投入少，同时对环境洁净程度要求较低。 全部在线式设备，易于实现自动化 效率可以做到19%，与17%的常规电池效率相比，相当于节省9%的成本 温度特性0.3%/K vs. 0.43%/K，增加4%的能量输出，节省4%的成本。 RR HJT电池的优点 工艺对比 三洋产能增长缓慢 近年三洋的电池产能排名不断降低，到2009年已经跌出前十。相似的垄断技术企业First Solar和SunPower一直保持强劲的增长。 HIT技术难点 非晶硅太阳电池的研究，现在主要着重于改善非晶硅膜本身性质，以减少缺陷密度。严格控制a-Si/c-Si界面质量，不断降低缺陷态密度。 优化光陷，降低反射率。 提高透明导电膜的电导率，透射率。 降低金属栅线的接触电阻。 PECVD技术难点一 等离子体的不稳定性。 等离子体的稳定性是一个复杂的问题。等离子体本身是由电子、离子等带电电荷组成的准中性气体, 因此, 它的状态容易受到外界条件的影响而发生变化。衬底表面的带电状态、反应器壁的薄膜附着、电源的波动、气体的流速等都会改变等离子体的状态, 改变其中活性粒子的种类及数量, 从而改变所沉积薄膜的性质; 另外在大规模生产中, 在较大的面积上保持等离子体的均匀性也是一件困难的事。这种差异的原因往往是隐性的, 解决这一问题需要精通等离子体的专业知识。 PECVD技术难点二 等离子体中电子及离子辐照对沉积薄膜结构及电子学特性损伤。 等离子体加工过程中另一方面的问题是等离子体损伤, 主要指离子轰击及光子辐照, 除了会降低沉积膜的质量外, 还对晶体Si 衬底带来损伤。光谱响应的研究结果发现利用等离子体技术制备的HIT 电池, 在蓝光区, 光谱响应提高, 而在红光区, 光谱响应降低, 这一方面表明本征层的钝化作用提高了蓝光区的光量子效率, 另一方面表明等离子体对器件的损伤深入到器件内部, 造成主要在Si体内被吸收的红光区的量子效率下降。为降低等离子体损伤, 需要严格控制等离子体的放电功率, 将其降低至最小, 以能维持放电为准, 这实际上降低了等离子体的稳定性, 增加了工艺参数控制的难度。 PECVD技术难点三