晶体管原理-02031解析.ppt

第一章 绪 论 第二节 半导体器件基本方程 第一章 绪 论 电流密度方程 第一章 绪 论 电流连续性方程 第二章 pn结和晶体二极管 PN结的意义 1）单向导电性 2）击穿特性 3）电容特性 4）隧穿效应 pn结隔离 第二章 pn结和晶体二极管 第二节 pn结直流特性 第二章 pn结和晶体二极管 第三节 pn电容 第二章 pn结和晶体二极管 第四节 pn结击穿 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩倍增因子 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.02.23 漂移速度和迁移率 爱因斯坦关系 载流子 越大,器件工作速度也越高。 1. 欧姆定律 积分形式: 微分形式: --II.半导体器件基本方程 空穴电流密度方程： 电子电流密度方程： --II.半导体器件基本方程 泊松方程 泊松方程是高斯定理的微分形式 第一节 平衡pn结 3. 空间电荷区宽XD/Xm 2. pn结接触电势差VD 空间电荷区/势垒区/耗尽层 1. Pn结的形成 理想pn结模型条件 1）小注入 2）势垒区外无电场 3）势垒区内无载流子的产生/复合 4）不考虑表面对pn结的影响 2. 非平衡少子注入在边界处的积累 3. 理想pn结模型电流电压方程 突变结势垒电容 2. 扩散电容 pn结击穿：pn结反向偏压增大到某一值VB时，反向电流突然迅速增 雪崩击穿 --由碰撞电离的雪崩倍增效应引起 碰撞电离率 ：每个自由电子（空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子-空穴对的数目。 大的现象。 基本原因：载流子数目的突然增加 --IV.pn结击穿 雪崩击穿条件 电离率积分的大小主要取决于最大电场强度Emax附近的一个极窄的区域。粗略认为， Emax小于某值Ec（雪崩击穿临界电场强度）时，势垒区内各点处ai都很小。 雪崩击穿电压经验公式： 单边突变结- 线性缓变结- 雪崩击穿经验公式 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.02.23 * * * *