填空题归纳..docxVIP

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。 4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1)? 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2)? t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3)? t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)? t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)? t4~t5时间段内，电流的通路为_______；一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1 信息电子技术2、空1 开关；空2 开关 3、空1 载波比；空2 同步；空3 分段同步4、空1 冲量；空2 形状 5、空1 MOSFET；空2 GTO；空3 IGBT6、空1 ；空2 7、空1 有源；空2 无源8、空1 VD1；空2 V1；空3 VD2；空4 V2；空5 VD考试试卷( 2 )卷一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）1、_________存在二次击穿现象，____________存在擎住现象。 2、功率因数由?和?这两个因素共同决定的。 3、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是?_措施。 4、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有IL_IH。 5、电力变换通常可分为： 、?、 和?。6、在下图中，_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；_______和_______构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于____象限。一、填空题：（本题共 6 小题，每空1分，共15分）1、空1 GTR；空2 IGBT 2、空1 基波电流相移；空2 电流波形畸变 3、空1 均压 4、空1 2~4 5、空1 交流变直流；空2 直流变交流；空3 直流变直流；空4 交流变交流 6、空1 V1；空2 VD1；空3 V2；空4 VD2；空5 第2考试试卷( 3 )卷一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管　 ；可关断晶闸管　 ；功率场效应晶体管　 　；绝缘栅双极型晶体管 　 ；IGBT是 和 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是? ? 、? 和? ? ?。3、多个晶闸管相并联时必须考虑　 　的问题，解决的方法是　 。4、在电流型逆变器中，输出电压波形为　 波，输出电流波形为　 　波。5、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为_______°导电型6、当温度降低时，晶闸管的触发电流会　? 、正反向漏电流会? ；7、常用的过电流保护措施有　 、　 、 、　?。一、填空题（本题共7小题，每空1分，共20分）1、空1 GTR；空2 GTO；空3 MOSFET；空4 IGBT；空5 MOSFET；空6 GTR。2、空1 要有足够的驱动功率；空2 触发脉冲前沿要陡幅值要高；空3 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、空1 均流；空2 串专用均流电抗器。4、空1 正弦波；空2 方波。5、空1 180。6、空1 增加；空2 下降。7、空1 快速熔断器；空2 串进线电抗器；空3 接入直流快速开关；空4 控制快速移相使输出电压下降。考试试卷( 4 )卷一、填空题：（本题共5小题，每空1分，共20分）1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效