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电力电子技术 浙江大学电气工程学院 江道灼 教授 Email：dzjiang@zju.edu.cn Telephone：678999 电力电子技术 第一章 功率半导体器件 第二章 功率半导体器件的驱动和保护 第三章 交流-直流(AC-DC)变换 第四章 直流-直流(DC-DC)变换 第五章 直流-交流(DC-AC)变换 第六章 交流-交流(AC-AC)变换 第七章 谐振软开关技术 第八章 电力电子在电气工程中的应用 功率半导体器件 1.1 概述 1.2 大功率二极管 1.3 晶闸管 1.4 大功率晶体管 1.5 功率场效应晶体管 1.6 绝缘栅双极性晶体管 1.7 其他新型功率开关器件 概述 功率半导体器件的定义： 基于半导体材料、构成电力电子装置一次电路（主电路）的基本元件 功率半导体器件的工作特点： 工作在开关状态，且通态电阻很小，压降接近于0（等效于短接），断态电阻很大，漏电流接近于（等效于开断）； 工作开关频率较高，存在开关损耗（开通与关断损耗）； 工作过程中需承受高电压、大电流。 概述 概述 功率半导体器件的发展 大功率二极管产生于20世纪40年代，目前已形成整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等3种主要类型。 20世纪60年代出现了第一代电力电子器件——晶闸管及其派生器件，如逆导晶闸管、双向晶闸管等； 70年代出现了第二代自关断型电力电子器件，如GTO、GTR、P-MOSFET等； 80年代出现了第三代场控功率半导体器件，如IGBT、IGCT等； 80年代末90年代初开始出现第四代电力电子器件：集成功率半导体器件，如IPM等。 功率半导体器件的分类 1）按可控性分类： 不可控型、半控型、全控型 2）按驱动信号分类： 电流驱动型、电压驱动型、光驱动型 大功率二极管 为不可控型功率半导体器件，主要用于不可控整流、电感性负载回路的续流等。 大功率二级管的结构及符号： 大功率二极管 伏安特性 大功率二极管 开通、关断特性 大功率二极管 主要参数 1.额定正向平均电流（额定电流）IF 2.反向重复峰值电压（额定电压）VRRM 3.反向漏电流IRR 4.正向平均电压VF（通态压降） 5.大功率二级管的型号定义 ZP[电流等级]-[电压等级/100][通态平均电压组别] 如：ZP50-16为：普通型大功率二极管，额定电流50A、电压1600V 晶闸管 晶闸管（SCR）的结构 晶闸管 晶闸管的工作原理 1. 正向阻断、反向阻断 （1）导通条件： 晶闸管的阳极—阴极之间加正向电压； 门极加正向电压，使足够的门极电流Ig流入。 （2）关断条件： 阳极电流小于维持电流IH以下并经过一段时间。 晶闸管 晶闸管的工作原理（续） 2. 内部物理过程 晶体管的内部物理过程可用复合三极管效应等效，如下图：集电极电流为另一只晶体管的基极电流，形成正反馈。 晶闸管 晶闸管的阳极电流： 晶闸管 晶闸管 晶闸管的基本特性 一、静态特性 晶闸管 晶闸管 二、动态特性 （1）开通特性； （2）关断特性 晶闸管 晶闸管 2、电流参数 晶闸管 3、其他参数 （1）断态电压临界上升率UB0 额定结温、门极开路，使元件断→通的最小电压上升率 U ak (duak /dt) UB0(=min duak /dt）时， IC相当于Ig （2）通态电流临界上升率 （3）门极触发电流ＩGT与门极触发电压ＵGT 对触发电路要求，随温度变化。 晶闸管 4、晶闸管的型号 Ｐ—普通, Ｋ—快速型，Ｓ—双向型，Ｎ—逆导型，Ｇ—可关断，LTT —光控 KP[电流]─[电压/100][ 通态压降组别 ] 如KP500-12G，表示该晶闸管通态平均电流IT(AV)=500A（通态压降0.9V=UT(AV)=1.0V ），（断态）正反向重复峰值电压UR=1200V。 晶闸管 晶闸管的派生器件 (1).快速晶闸管（FST） (2).双向晶闸管（TRIAC） (3).逆导晶闸管（RCT） (4).门级可关断晶闸管（GTO） (5).光控晶闸管（LTT） 大功率晶体管 结构 大功率晶体管 1. 工作特性 （a）输入特性；（b）输出特性 大功率晶体管 主要参数 1、电压参数 集电极额定电压UCEM 饱和压降UCES 2、电流参数 连续（直流）额定（集电极）电流Ic 集电极额定电流（最大允许电