[12-存储系统03.pptVIP

1）静态随机存储器 SRAM 的位存储单元 存储机理：利用双稳态触发器保存数据。 存 1：T1通、T2止 存 0：T1止、T2通 字线Z：连地址线 位线W：连数据线 分析： （1）保持数据：不送地址信号（Z=0，T5T6截止） （2）读出：送地址（Z=1），发读命令 （3）写入：送地址（Z=1），送数据（W=0/1），发写命令 2）动态随机存储器 DRAM 的位存储单元 存储机理：利用MOS电路中栅板电容保存数据。 存 1：电容有电荷 存 0：电容无电荷 字线Z：连地址线 位线W：连数据线 分析： （1）保持信息：不送地址信号（Z=0，T截止） （2）读出：送地址（Z=1），发读命令 （3）写入：送地址（Z=1），送数据（W=0/1），发写命令 SRAM 是以双稳态电路为存储单元，因此它不需要刷新。 DRAM 是通过电容的有无电荷存储数据的，由于随着时间的增加，电荷 会逐渐漏掉，从而使存储的数据丢失。所以，必须在电荷漏掉以 前就进行充电，以恢复原来的电荷。把这一充电过程称为刷新。 间隔多少时间刷新一次，主要根据电容电荷的泄放速度来决定。 DRAM 的所有存储单元都被刷新一次的时间为刷新周期（一般为2ms） 整个存储器中，各芯片可同时刷新，芯片内逐行刷新，每次刷新一行。 分析：所有的A0，A1…是连在一起的，便于各芯片同时刷新。 例如：如果DRAM为128*128（一次刷新一行） 则在2ms之内至少刷新128次。 系 统 总 线 存储器 运算器 控制器 接口与通信 输入/输出设备 林楠 办公室：211 办公电话：0371 电子邮件：linnan@zzu.edu.cn 《 计算机组成原理 》 第四章 存储器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.1、主存储器概述 3.2、主存储器构成 3.3、主存储器扩展 3.4、主存储器与CPU的连接 3.4.1、存储芯片与CPU接口特性 3.4.2、存储芯片与CPU连接举例 3.4.3、存储器读写周期与CPU的配合 3.4.4、存储器DRAM动态刷新 3、主存储器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Review: 位单元构成 Z=1 W=1读0 写0 W=1读1 写1 六管静态位单元 SRAM：容量小、存取速度快、静态（不需要刷新电路保持数据）（小容量Cache） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Review: 位单元构成 Z=1 + - W=1 写1 单管动态位单元 DRAM：容量大、存取速度慢、动态（需要刷新电路保持数据）（大容量