Flyback 架构EMI讲诉.ppt

Flyback 架构的EMI 分析 ——Conduction 部分 一、目的 二、Noise 的产生机理及传播途径： 2.2 Flyback 架构中的nosie 源 Noise 源：大的di/dt和dv/dt 产生的地方，对Flyback架构来说，会产生这些变化的主要有： 变压器TX1； MOSFET Q1 ； 输出二极管D1； 芯片的RC振荡； 驱动信号线； （注：以下皆以C3KS （220V）充电板为研究对象） 2.3 Mosfet Q1 动作时产生的Nosie 2.3.1 开关频率谐波干扰的分析 2.3.2 Q1 振荡1形成机理 Q1 振荡1形成的共模电流路径 Q1 振荡1形成的差模电流路径 2.3.3 Q1 振荡2形成机理 2.4 D1 动作时产生的noise D1振荡1形成的共模电流路径 D1振荡1形成的差模电流路径 2.4.3 D1 振荡2的分析 2.5 Flyback 架构noise 在频谱上的反应 三、改善措施分析 我们可实行的改善措施有两个：1、减小Noise的大小；2、切断或改善传播途径。 3.1 减小Noise 的大小： 首先考虑以下三个方面： ①Mosfet、Diode动作时，具有很宽的频谱含量，开关频率的谐波本身就是较强的干扰源。 措施：在满足所要求的效率、温升条件下，我们可尽量选开关较平缓的管子。而通过调节驱动电阻也可达到这一目的。 3.1 减小Noise 的大小： ②Q1、D1 的振荡 1会产生较强的干扰。 措施： *对寄生电容Cds、Cj 的处理：在Q1的ds极、二极管的两端各并上一681小电容，来降低电路的Q 值，从而降低振荡的振幅A，同时能降低振荡频率f。需注意的是：此电容的能量1/2Cu2将全部消耗在Q1上，所以管子温升是个问题。解决的办法是使用RC snubber, 让能量 消耗在 R上。同时R能起到减小振幅的作用。 *对变压器的漏感Le的处理： 1。变压器采用 三明治 绕法，以减小漏感。 2。在变压器的绕组上加吸收电路。 3。减小Q1 D极到变压器的引线长度。（此引线电感和漏感相迭加） 采取上述 措施降低振荡 1的影响之后， 得右图。 3.1 减小Noise 的大小： ③： Q1 D1 上的振荡 2 会产生较强干扰。 分析方法和②相同，但此时 电感已变得很大了（主要为为励磁电感），因此漏感和引线电感对③的影响相对较小。 3.2 改善传播途径： 同样从上节的分析中，可看出Nosie 的传播途径主要是通过变压器的杂散电容Ctx；Mosfet/Diode到散热片的杂散电容Cm/Cd；及散热片到地的杂散电容Ce等途径而耦合到LISN被取样电阻所俘获。 3.2 改善传播途径： 措施二：变压器加法拉第铜环： 变压器是Noise传播的主要通道之一，其中初级线圈和次级线圈间杂散电容Ctx是重要因素。而在变压器内部加法拉第铜环是减小Ctx 的有效的方法之一。 3.2 改善传播途径： 措施三：散热片接Rs的地端： 目的为了将 散热片－Ce—地－LISN这一支路 旁路掉，从而减小到地的电流。其效果如下图： 可看出，在低频时较有效；在高频时， 效果不明显，这主要是因为在高频时，管脚直接对地的电容已有相当的作用。 红色：散热片未接地 兰色：散热片接地 3.3 综合的EMI 效果 当综合上述所有措施后，EMI总效果对比如图所示： 四、 实际效益 四、 实际效益 单个模块做好之后，将去掉专用滤波器的充电板装回C1KS机器，作整机测试，并和原机器作对比： 四、 实际效益 五、 总结 本文着重探讨了Flyback 架构（以充电器为例）Noise的产生机理、传播途径。结合理论提出了相对应的改善方法，达到了较理想的实验结果。希望本文能为大家提供参考,力求在不影响电气性能的前提下，降低成本、提高UPS的EMC性能。 * SANTAK RD 刘鹏/王可志 Flyback架构的EMI 效果通常是比较差的（特别是在不连续工作模式下）,以往常经验来看，充电板以及功率板上的充电部分是整机EMI效果的重要决定因素之一。因此在此专题里面将以Flyback架构为对象，分析其Noise源，传播途径，改善方法。拟在不影响电气性能的前提下，降低成本、提高UPS的EMC性能。