(精)第1章半导体器件基础第2讲——最新.pptVIP

(精)第1章半导体器件基础第2讲——最新.ppt

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1.2.4 半导体二极管及其参数 1.2.5 二极管的电路模型 二极管的应用举例 (1) UA=0 V UB=0 V (3) UA=0V UB=3V 1.3 特殊二极管 1.3.1 稳压二极管 1.3.3 发光二极管 1.3.4 光电二极管 1.4 半导体三极管 半导体三极管,也叫晶体三极管。由于工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,因此,还被称为双极型三极管(Bipolar Junction Transistor,简称BJT)。 1.4.1 三极管的结构 1. 三极管放大的外部条件 3. 各电极电流关系及电流放大作用 1.4.3 三极管的特性曲线(共发射极接法) 三极管的特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线,它是三极管内部载流子运动的外部表现。 (1)uCE=0V时,相当于两个PN结并联。 2. 输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=常数 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 1.4.4 三极管的主要参数 1.电流放大系数 2.极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时,? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70%时,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 已知:ICM = 20 mA, PCM = 100 mW,U(BR)CEO = 20 v,问: 当 UCE = 10 v 时,IC mA 当 UCE = 1 v,则 IC mA 当 IC = 2 mA,则 UCE v 4. 有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=100μA,其他参数大致相同。你认为应选用哪种管子?为什么? 5. 为使NPN型管和PNP型管工作在放大状态,应分别在外部加什么样的电压? 思考题 1. 既然BJT具有两个PN结,可否用两个二极管相联以构成一只BJT,试说明其理由。 2. 能否将BJT的e、c两个电极交换使用,为什么? 3. 为什么说BJT是电流控制型器件? 例2:有三只晶体管,分别为? 锗管β=150,ICBO=2μA;? 硅管β=100,ICBO=1μA; ?硅管β=40,ICEO=41μA;试从β和温度稳定性选择一只最佳的管子。 解: β 值大,但ICBO也大,温度稳定性较差; ? β 值较大,ICBO=1μA,ICEO=101 μA ; ? β 值较小,ICEO=41μA, ICBO=1μA。 ? 、? ICBO相等,但? 的β 较大,故? 较好。 例1:由晶体管各管脚电位判定晶体管属性 (1)? A: 1V B:0. 3V C: 3V (2 )A: -0. 2V B: 0V C: -3V 如何区分硅管和锗管 如何区分NPN、PNP管 如何区分三个极 A. ︱UBE ︳≈0. 2V(锗管) ︱UBE ︳≈0. 7V(硅管) B. 步骤:1. 区分硅管、锗管,并确定C极(以 相近两个电极的电压差为依据, UBE硅=0.7V /UBE锗=0.2V~0.3 V) 2. 区分NPN、PNP管 (NPN:VC最高 , PNP: VC最低 ) 3. 区分三极 ( NPN: VC VB VE PNP: VC UB VE) 解: (1) 硅管 、NPN管 A:基极 ;B: 发射极; C: 集电极 (2) 锗管 、 PNP管 A: 基极; B: 发射极 ; C: 集电极 例3 一个NPN管子在电路中正常工作,现测得 则此时该管子工作区为( ) a) 饱和区 b) 截止区 c) 放大区 C 判断晶体管的工作状态: 根据发射结和集电结的偏置情况判断。 截止状态:发射结和集电结都反偏; 放大状态 :发射结正偏,集电结反偏; 饱和状态:发射结和集电结都正偏。 三极管工作状态的判断 [例1]:测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域? (1) VC

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