外延及CVD工艺试题.pptVIP

1 第二章 外延及CVD工艺 §1 外延工艺 一.外延工艺概述 定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。 CVD:Chemical Vapor Deposition 晶体结构良好 掺入的杂质浓度易控制 可形成接近突变p—n结 外延分类:气相外延(VPE)－－常用 液相外延(LPE)－－ⅢⅤ . 固相外延(SPE)－－熔融在结晶 . 分子束外延(MBE)－－超薄 化学气相淀积(CVD)----低温,非晶 材料异同 同质结 Si-Si 异质结GaAs--AlxGa(1-x) As 温度：高温1000℃以上 低温1000℃以下 CVD（低温） 二.硅气相外延工艺 1. 外延原理 氢还原反应 2. 生长速率 影响外延生长速率的主要因素： 反应剂浓度 温度：B区高温区（常选用），A区低温区 气体流速 :气体流速大生长加快 生长速率还与反应腔横截面形状和衬底取向有关 矩形腔的均匀性较圆形腔好。晶面间的共价键数目越多，生长速率越慢。 3.系统与工艺流程 系统示意图 工艺流程 .基座的HCl腐蚀去硅程序(去除前次外