模电课件-第1章-半导体器件分析.ppt

教学目标 了解半导体的基本特性，半导体二极管、双极型三极管、场效应管的分类、结构、基本电特性和主要技术参数等。 理解本征半导体、杂质半导体、PN结、单向导电性、伏安特性、电容效应、电流放大、击穿、稳压、夹断、开启等基本概念。 掌握PN结的工作原理、半导体二极管的伏安特性、双极型三极管的工作原理、电流分配关系、电流放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线、场效应三极管的工作原理、转移特性曲线和输出特性曲线。 第一章 常用半导体器件 § 1.1 半导体基础知识 1、本征半导体 定义 3.4 PN 结的电容效应 § 1.2 半导体二极管 二极管的伏安特性及电流方程 VT——温度的电压当量，VT=kT/q=T/11600=0.026V，其中k为波耳兹曼常数（1.38×10–23J/K），T为热力学温度，即绝对温度（300K），q为电子电荷（1.6×10–19C）。在常温下，VT≈26mV。 二极管的伏安特性----单向导电性！ 二极管的等效电路 2）微变等效电路 二极管直流电阻 二极管的直流电阻是其工作在伏安特性上某一点时的端电压与其电流之比。 图（a）电路（b）二极管伏安特性和工作点Q（c）二极管的直流电阻： 1N54xx系列二极管参数 稳压二极管 §1.3 晶体三极管 五、温度对晶体管特性的影响 六、主要参数 Ugs作用于整个沟道 漏-源电压Uds对漏极电流的影响： 输出特性： 转移特性： 场效应管与晶体管的比较 本 章 结 束 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 uGDUGS（off） uGDUGS（off） 此时，Ugs≠0 g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，有uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） 有夹断 有沟道 2　绝缘栅型场效应管 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 2.1 N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 2. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 S G D B 工作原理分析： 以N 沟道增强型为例 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止状态 2个耗尽层 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS排斥空穴，形成耗尽层。 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSUGS(th)），出现以电子导电为主的N型导电沟道。 吸引电子 VGS(th)称为开启电压 2. 用万用表检测二极管 在 R ? 100或 R ? 1 k 挡测量 红表笔是(表内电源)负极， 黑表笔是(表内电源)正极。 正反向电阻各测量一次， 测量时手不要接触引脚。 (1) 用指针式万用表检测 　一般硅管正向电阻为几千欧，锗管正向电阻为几百欧；反向电阻为几百千欧。 正反向电阻相差不大为劣质管。 　　正反向电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路。 ?1k ? 0 ? 0 ? 0 (2) 用数字式万用表检测 红表笔是(表内电源)正极， 黑表笔是(表内电源)负极。 2k 20k 200k 2M 20M 200 ? 在 挡进行测量，当 PN 结完好且正偏时，显示值为PN 结两端的正向压降 (V)。 反偏时，显示 。 二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压U(BR) 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是U(BR)的一半。 3. 反向