5_晶体管特性图示仪测三极管直流参数..docVIP

实验五 晶体管特性图示仪测量三极管的直流参数 晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中，都要检测其性能。晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线，进而可测量各种直流参数。 一、实验目的 （1）了解YB4812型晶体管特性图示仪原理，掌握其使用方法； （2）观察三极管的输出特性曲线； （3）测试四种三极管的反向击穿电压和直流电流增益。 二、实验原理 利用晶体管特性图示仪测试晶体管输出特性曲线的原理如图1所示。图中T代表被测的晶体管，RB、EB构成基极偏流电路。取EBVBE，可使IB=(EB－VBE)/RB基本保持恒定。在晶体管C-E之间加入一锯齿波扫描电压，并引入一个小的取样电阻RC，这样加到示波器上X轴和Y轴的电压分别为VX=VCE = V CA－IC? RC ≈VCA， VY=－IC? RC ∞－IC 图5.1 测试输出特性曲线的原理电路 图5.2 基极阶梯电压与集电极扫描电压间关系 当IB恒定时，在示波器的屏幕上可以看到一根IC—VCE的特性曲线，即晶体管共发射极输出特性曲线。为了显示一组在不同IB的特性曲线簇Ici=Φ(ICi, VCE)应该在X轴的锯齿波扫描电压每变化一个周期时，使IB也有一个相应的变化，所以应将图1中的EB改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流，这样不同的阶梯电压VB1、VB2 、VB3 …就可对应地提供不同的恒定基极注入电流IB1、 IB2 、 IB3…。只要能使每一阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期，如图5.2所示，就可以在T0时刻扫描出IC0=Φ(IB0, VCE)曲线，在T1时刻扫描出IC1=Φ(IB1, VCE)曲线。通常阶梯电压有多少级，就可以相应地扫描出有多少根IC=Φ(IB, VCE)输出曲线。YB4812型晶体管特性图示仪是根据上述的基本工作原理而设计的。它由基极正负阶梯信号发生器，集电极正负扫描电压发生器，X轴、Y轴放大器和示波器等部分构成，其组成框图如5.3所示，详细调节情况可参考附录。 图5.3 图示仪的组成框图 三、实验仪器与设备 1、实验设备：YB4812晶体管特性图示仪； 2、实验样品： 具体型号规格见表2。 表5.1 测试样品参数表 型号 极性 最大耐压VCE 工作最大电流IC 3DK2 NPN 20V 10mA 3DG6 NPN 20V 3mA 2N2907 PNP 60V 0.8A 2N222 NPN 60V 0.8A 四、实验内容与步骤 描述晶体管的参数很多，双极型晶体管直流参数的测试主要包括：输出特性曲线、反向特性测试、直流电流增益。 1．三极管输出特性曲线和β值的测量 （1）输出特性曲线 基极电流IB一定时，晶体三极管的IC和UCE之间的关系曲线叫做输出特性曲线。如图4、图5所示。曲线以IC（mA）为纵坐标，以UCE（V）为横坐标给出，IB为参变量。图上的点表示了晶体管工作时IB、UCE、IC三者的关系，即决定了晶体三极管的工作状态。从曲线上可以看出，晶体管的工作状态可分成三个区域。饱和区：UCE很小，IC很大。集电极和发射极饱和导通，好像被短路了一样。这时的UCE称作饱和压降。此时晶体管的发射结、集电结都处于正向偏置。放大区：在此区域中IB的很小变化就可引起IC的较大变化，晶体管工作在这一区域才有放大作用。在此区域IC几乎不受UCE控制，曲线也较为平直，此时管子的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。截止区：IB＝0，IC极小，集电极和发射极好像断路（称截止），管子的发射结、集电结都处于反向偏置。 图5.4 理论输出特性 图5.5 实测输出特性 （2）直流电流增益 共发射极电路直流电流增益的定义如下：≈ΔIC/ΔIB|VCE=常数 ①3DK2：以NPN型3DK2晶体管为例，查表2得知3DK2 的测试条件为VCE =20V、IC=10mA。将光点移至荧光屏的左下角作坐标零点。具体调节方式： 峰值电压范围 0～10V，Y轴集电极电流 1 mA /度，X轴集电极电压 0.5V/度，显示极性“+”，极性“+”，扫描电压“+”，功耗电阻 250Ω，幅度/级10μA，管脚： E-B-C（型号正面从左至右）。 逐渐加大峰值电压就能在显示屏上看到一簇特性曲线，读出X轴集电极电压VCE =1V时最上面一条曲线（每条曲线为10μA，最下面一条IB=0不计在内）IB值和Y轴IC值，可得的值。为了便于读数，可将X轴的“伏/度”开关由原来的“集电极电压UC”