第4章半导体二极管和三极管讲义.ppt

2. 输出特性 　输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，晶体管输出电路（集电极电路）中集电极电流IC与 集电极——发射极电压UCE之间的关系曲线，用函数关系表示为： 在不同的基极电流IB下，可得出不同的曲线，故晶体管的输出特性曲线是一组曲线。 输出特性曲线 当基极电流IB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致是一定的。 当集电极——发射极电压UCE大于1V后，集电结的电场足以使扩散到基区的电子绝大部分都被拉入集电区而形成集电极电流IC， 以致于当UCE再继续增大时，IC也不再有明显的增加。这反映出晶体管的恒流特性。 (1) 放大区（线性区） 在放大区有 IC=? IB 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 当基极电流IB增大时，相应的集电极电流IC也增大，而且IC比IB增加的多得多，即晶体管的电流放大作用。根据工作状态，输出特性通常分三个工作区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A （2）截止区 截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IB ? 0 ,IC ? 0 。 在截止区发射结、集电结均处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 基极——发射极电压UBE小于死区电压 三极管呈现高阻抗，类似于开关断开。 （3）饱和区 IC 上升部分与纵轴之间的区域。 饱和区特性曲线的特点是固定IB不变时，IC随UCE的增加而迅速增大。 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 ?IB ?IC，发射结、集电结均处于正偏。 IB的变化对IC的影响较小 IC称为集电极饱和电流ICS，集-射极电压UCE称为饱和电压UCES 特性归纳 输入特性 同二极管的正向特性 UBE ? ? IB? 输出特性 一组曲线（一个IB对应一条曲线） UBE 0， UCE UBE 发射结正偏，集电结反偏 IC = ? IB 电流放大作用 UBE0， IB ? 0 发射结反偏 UBE 0， UCE UBE IC = ? IB 发射结、集电结均正偏 无电流放大作用 放大区 截止区 饱和区 4.5.4 主要参数 1. 电流放大系数 ，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 值太小，放大能力差；值太大，热稳定性较差。 两者在特性曲线近于平行等距并且ICEO 较小的情况下，两者数值接近。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 2.集—基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC ICBO是当发射极开路时，集电结在反向偏置电压作用下，集—基极间的反向漏电流。 作为晶体管的性能指标，ICBO越小，工作稳定性越好。硅管的ICBO比锗管的小得多。 小功率硅管的ICBO小于1μA；锗管的ICBO在10 μA 3.集—射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 ICEO是当基极开路时，集电极与发射极间加反向偏置电压时的集电极电流。该电流由集电极穿过基区到发射极，故称为穿透电流。 ICEO的大小是判断晶体管质量的重要参数，通常希望其值越小越好。 4. 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC上升超过某一定值时，会导致三极管的电流放大系数?值的显著下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 极限参数 5. 集—射极反向击穿电压U(BR)CEO 基极开路时加在集—射极间的最大允许电压。 当集—射极电压UCEU(BR)CEO时，穿透电流ICEO会突然剧增，说明晶体管已被击穿。 使用时，应取电源电压 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70