(精)第一章 半导体器件基础——最新.ppt

半导体二极管图片 半导体三极管 场效应管 场效应管 2.工作原理 ①栅源电压VGS对iD的控制作用 ②漏源电压VDS对iD的影响 JFET工作原理（动画2-9) (3)伏安特性曲线 可变电阻区 夹断区 ②转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 金属-氧化物-半导体场效应管 N沟道增强型场效应管 N沟道增强型场效应管的工作原理 1 . 栅源电压VGS的控制作用 栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 增强型MOSFET的工作原理 MOSFET的特性曲线 2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS (2) 场效应三极管的型号 几种常用场效应三极管的主要参数 双极型三极管与场效应三极管的比较 场效应管放大电路 分压式自偏压电路 小信号分析法 (2)交流分析 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 一、 场效应三极管的参数 1. 开启电压VT 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 2. 夹断电压VP 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极 电流为零。 3. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω；绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 5. 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS (毫西门子)。 6.最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型 N沟道 P沟道 与 PNP型 绝缘栅 增强型 N沟道 P沟道 分类 C与E一般不可 绝缘栅 耗尽型 N沟道 P沟道 倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，且有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 绝缘栅 增强 型 N 沟 P 沟 绝缘栅耗 尽 型 N 沟 道 P 沟 道 （1）偏置电路及静态分析 直流通道 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= ID