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c-Si异质结太阳电池.txt26选择自信，就是选择豁达坦然，就是选择在名利面前岿然不动，就是选择在势力面前昂首挺胸，撑开自信的帆破流向前，展示搏击的风采。 本文由888ronglin贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第２７卷第７期 ２００６年７月 太阳能学报 Ａ阻Ａ ＥＮＥＲＧＩＡ－Ｅ ＳｏＩ．ＡＲＩｓ ＳＩＮＩＣＡ Ｖ０１．２７。Ｎｏ．７ “．，２００６ 文章编号：０２外００９６（２０嘶）０７－Ｏ矽１．惦 热丝化学气相沉积ｎ型ｎｃ．Ｓｉ：Ｈ薄膜及 ｎｃ．Ｓｉ：Ｈ／ｃ．Ｓｉ异质结太阳电池 张群芳１，朱美芳１，刘丰珍１，刘金龙１，许 颖２ （１．中科院研究生院物理系，北京１０００３９；２．北京市太阳能研究所，北京１０００８６） 摘要：采用热丝化学气相沉积（Ⅲ㈣）技术制备ｎ型纳米晶硅（∞一Ｓｉ：Ｈ）薄膜，系统地研究了沉积参数，特别是 掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和缺陷态的影响，获得了器件质量的ｎ型ｎｃ．ｓ：Ｈ薄膜。制备了ｎｃ—Ｓｉ：Ｈ，ｃ—Ｓｉ皿’ （Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｗｉｍ ＩＨ晡璐ｉｃ田ｉｎ－ｌ研ｅｒ）结构太阳电池，研究了异质结结构参数对电池性能的影响，初步得到电池性能 参数如下：ｋ＝４８３ｍＶ、＿，。＝２９．５ｍⅣ耐、胛＝７０％、叩＝１０．２％。 关键词：热丝化学气相沉积；纳米晶硅；异质结；太阳电池 中图分类号：ｒ１１（５１４ 文献标识码：Ａ ０ 引 言 及沉积气压（Ｐ。）制备了４个系列的样品。用光热偏 转谱（ＰＤｓ）研究了掺杂对薄膜缺陷态密度的影响。 ＲａｍａＩｌ光谱采用Ｔ６４０００型Ｒａｍａｎ光谱仪测得，通过 Ｒ舢ａＩｌ谱的解谱得到薄膜晶态比。ｎｃ—ｓｉ：Ｈ／ｃ—ｓｉ ＨｒＩ’ 纳米晶硅薄膜因具有高的光吸收系数及高稳定 性等优点，成为制备廉价高效薄膜太阳电池的基础 材料之一。目前纳米晶硅薄膜的制备方法主要包括 化学气相沉积（等离子体，热丝）、蒸发和溅射等技 术，其中热丝化学气相沉积具有结构简单、成本低、 气体利用率高及无离子轰击，能够低温、高速沉积器 件质量纳米晶硅薄膜等优点¨。Ｊ。 在ｃ．Ｓｉ上生长一层ａ—Ｓｉ：Ｈ或ｎｃ—Ｓｉ：Ｈ薄膜形成 的异质结太阳电池，具有实现高效率低成本硅太阳 电池的发展前景。Ｍｉｋｉｏ Ｔａｇｕｃｈｉ等制备的Ｈｒｒ多层 结构ａ—Ｓｉ／ｃ—ｓｉ异质结电池效率达到２０．１％［４’５］。 结构太阳电池在电阻率为３～５Ｑ?ｃｍ的Ｐ型（１００）ｃ． Ｓｉ衬底上制备，在ｃ—Ｓｉ背面蒸发一层铝，然后氮气中 退火得到背电极，上电极的透明导电膜（啪）通过蒸 发制备，ｓｉ薄膜沉积前用ｌ％盯除去ｃ—Ｓｉ衬底表面 氧化物。研究了ｉ层厚度ｄｉ及热丝温度乃对电池 性质的影响，电池的，一ｙ特性在ＡＭｌ．５，１００ＩＩｌＷ／ ｃｍ２太阳模拟器照射下测得。 表ｌ沉积参数 ７Ｉ曲ｌｅ ｌ Ｄ印０８ｉ６０ｎ ｐａ龇伧ｔｅＩｓ 我们采用聃℃ｖＤ技术，通过优化沉积参量，获 得了器件质量的ｎ型纳米晶硅薄膜；并在此基础上 制备了ｎｃ—ｓｉ：Ｈ／ｃ．ｓｉ Ｈｒｒ结构太阳电池，初步得到了 １０．２％的初始转换效率。 １ 实 验 ｓｉ薄膜采用聃℃ｖＤ技术，在玻璃衬底上制备， 沉积参数如表１所示。衬底温度固定在２５０℃，沉积 前用原子Ｈ处理衬底表面５ＩＩｌｉｎ。改变掺杂浓度比 （Ｒ＝［Ｐ地］／［ｓｉＨ｜］）、热丝温度（ｎ）、氢稀释度（ｓＨ） 收稿日期：２００４一ｌｌ一３０ ２结果和讨论 图１给出了不同Ｐ。条件下ｎ型ｎｃ—Ｓｉ：Ｈ薄膜电 导率随掺杂浓度比Ｒ的变化，图１表明，在相同Ｐ。 条件下，电导率随着Ｒ的增加很快上升，当Ｒ＞ 基金项目：国家重点基础研究发展规划（９ｒ７３）项目（Ｇ２００００２８２０８） ；国家自然科学基金（６００７∞０４） 万方数据 太 阳 能 学 报 ２７卷 ｏ．３％时，电导率趋向饱和；高Ｐ。对应高电导率，这 可能是由于高气压下气相反应充分，与磷相关的反 应基元浓度较高，从而提高掺杂效率所致。图２给 出了不同沉积气压下ｎ型ｎｃ—ｓｉ：Ｈ薄膜的光热偏转 谱（ＰＤｓ）曲线，随着Ｐ。的升高，低能端吸收增加，这 是由于掺杂原子及由此引起的缺陷态的增加引起， 与电导率的变化一致。通过ＰＤｓ曲线计算了杂质缺 陷态密度Ⅳｓ，当Ｐ。＝２Ｐａ时，Ⅳｓ＝６．７×１０１７ ｃｍ～