Cmos模拟电路基础..docVIP

1Cmos 模拟电路基础(一) 写这个文章的目的是为了这段时间的学习作个笔记，同时激励自己继续下去。 1， NMOS管的V-I特性 非饱和区的I-V特性。 ( 0 Vds Vgs – Vtn ) Vd = u E 其中，u为电子迁移率， E=V/l, 为导体内的场强。 Ids = 0.5*K*(W/L)*[2*(Vgs – Vtn)*Vds – Vds*exp2] 其中，K为器件的跨导系数，K= u*Cox = （u*ε0*εox）/ tox 用βn表示器件的增益系数，βn = K* （W/L） 饱和区的I-V特性。 ( 0 Vgs - Vtn Vds ) 随着Vds的增大，沟道漏端的导电层会减薄，当Vds = Vgs – Vtn时，它被夹断。当Vds继续增大，夹断点向源端移动。此时，沟道两端电压保持为 （Vgs – Vtn），而Vds的增加部分落在夹断耗尽区内，Ids几乎不变。如果夹断耗尽区的长度远小于L，忽略沟道长度的缩短，用Vgs – Vtn = Vds 带入得到饱和区的电流表达式为 Ids = 0.5*K*(W/L)*[(Vgs – Vtn)*exp2] 但是，当考虑沟道长度调制效应时， Ids = 0.5*K*(W/L)*[(Vgs – Vtn)*exp2]*（1+λ*Vds） 试验证明，λ是沟道长度的线性函数。 截止区 （ Vgs – Vtn = 0） Ids = 0. PMOS管的V-I特性， 它的偏压与极性与NMOS相反。但是，由于电子的迁移率与空穴的迁移率不等，前者是后者的2~3倍，因此，Kn= （2.0~3.0）Kp 2， MOS管的小信号模型 输入信号的幅度一般与电源电压相比很小，它在直流偏置工作点附近变化，可以近似认为器件工作在线性区间。大信号可以确定器件的直流工作点，小信号可以用来设计器件和电路的性能。 对于在饱和区工作的mos， gm = K*(W/L)*(Vgs – Vtn)*（1+λ*Vds） 其中，gm 是栅跨导 gds = 1/rds = ( Ids *λ)/(1+λ*Vds ) =λIds 其中，rds 是mos管的输出电阻。由该式可见，通过减小λ和减小Ids可以达到提高输出电阻的目的。而要减小λ，必须增大L 3, CMOS电路的基本模块 ＭＯＳ开关 开关导通时，Vds很小，Vgs很大，即MOS管处于非饱和区。 Id = K*W/L *(Vgs – Vt )*Vds 其中，0 Vds Vgs –Vt. NMOS 管的大信号沟道电阻是 Ron = L / [K*W*(Vgs – Vg –Vds)] Note:MOS管的最大转换速率主要由他的寄生电容和外部电阻决定。MOS开关的主要性能之一是开关的端电压与控制电压的相对范围。在N沟的MOS管中，为保证开关接通，栅电压必须远大于源极或漏极电压。否则，如果Vgs = Vdd, 且开关一端电压也为Vdd，则另外一端只能得到Vdd – Vt的电压。 因为在导通过程中，Vgs在减小，当Vgs=Vt,管子便截止了。 有源电阻： 在集成电路中，MOS管的有源电阻常用来代替扩散电阻或polysilide ，或得直流电阻或小信号交流电阻，以便节省芯片面积。 将mos 管的栅极和漏极连接起来，就构成了有源电阻。 Vgs = Vds,此时，只要Vds Vt, 显然MOS管工作在饱和区。 I = Id = k*W/（2*L）*（Vgs – Vt）exp2 V = Vgs =Vds = Vt +（２*Id*L / K*W）exp (0.5) mos 管的栅极和漏极连接起来意味着用Vds 控制Id，因此，沟道跨导变成了沟道电导，其小信号电导用g表示 g =K*W/L*(V-Vt) note:有源电阻可以作为有源电阻的分压器， 有时用两个有源电阻串联代替一个电阻，是为了节省栅极面积。 电流阱和电流源 电流阱和电流源都是两端元件。在理想情况下，他们的电流值与加在两端的电压无关，始终保持为常数。它们常被用来作为各级放大的偏置元件和有源负载，以提供稳定的工作电流和较大的动态电阻。 电流阱对负载提供拉电流或吸收电流，其端电压只有大于Vmin，或器件工作在饱和区才可产生近似不变的电流。 镜像电流源 如图：由于Vdg1=0,只要Vds1Vt1,二极管连接的M1总处于饱和状态。由于Vgs1=Vgs2,如果Vds2Vgs1-Vt2,则M2也工作在饱和区。它就是上面的单管电流阱，输出恒定电流。他的电压偏置是通过Iref的偏置实现的。 如果M1=M2，则Id2=Iref 但是当Iref变化时，或M2的W/L比值变化时，输出电流Id2也发生变化。 Iout / Iin